时间：2025/6/3 19:12:28
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SEDFN18VD16 是一款高性能的 N 沃特功率 MOSFET，采用小型封装设计，适用于各种高效率、高密度的电源管理应用。该器件使用先进的制造工艺，在低导通电阻和快速开关性能之间取得了良好的平衡，适合用于 DC-DC 转换器、负载开关以及电池保护等场景。
SEDFN18VD16 的主要特点在于其优异的电气性能和紧凑的占位面积，使其成为便携式电子设备的理想选择。此外，它还具有较高的雪崩耐量能力，从而增强了系统的可靠性。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：25A
导通电阻（典型值）：1.8mΩ
栅极电荷：24nC
反向恢复时间：7ns
工作结温范围：-55℃ 至 +175℃
封装形式：PDFN5x6-8L
SEDFN18VD16 具有以下显著特性：
1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，可有效降低传导损耗，提高整体效率。
2. 高速开关能力，支持高频操作，减少磁性元件尺寸并优化系统性能。
3. 强大的雪崩能力，确保在异常条件下仍能保持稳定运行。
4. 小型 PDFN 封装，节省 PCB 空间，同时提供卓越的热性能。
5. 符合 RoHS 标准，绿色环保。
6. 适用于多种应用场景，包括但不限于同步整流、电机驱动和负载切换等。
SEDFN18VD16 广泛应用于以下几个领域：
1. 开关模式电源 (SMPS) 中的同步整流功能。
2. DC-DC 转换器的核心功率级组件。
3. 电动工具和家用电器中的电机驱动电路。
4. 手机和平板电脑等便携式设备中的负载开关。
5. 各类保护电路，如过流保护和短路保护。
6. 工业自动化设备中的信号隔离与控制。
其出色的性能使其成为现代电子设计中不可或缺的关键元器件之一。
IPB020N03L4, AO4406A, FDMQ8207
