类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：40V
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　最大连续漏极电流（ID）：90A
　　导通电阻（RDS(on)）：约3.2mΩ（典型值，取决于栅极电压）
　　功率耗散（PD）：250W
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C
　　封装形式：TO-263（D2PAK）或类似的大功率表面贴装封装

CJAC90N04 MOSFET 具备多项优异的电气和热性能，使其在高功率应用中表现出色。首先，其低导通电阻（RDS(on)）可以显著降低导通状态下的功率损耗，提高系统效率。该器件的RDS(on)在典型栅极驱动电压（如10V）下可低至3.2mΩ左右，这使得其在大电流应用中依然保持较低的温升。
　　其次，该MOSFET具有较高的电流承载能力，最大连续漏极电流可达90A，适用于高负载场景，如DC-DC转换器、同步整流器、负载开关和电机控制器等。同时，其最大漏源电压为40V，适用于中等电压的电源系统设计。
　　此外，CJAC90N04采用TO-263（D2PAK）等大功率封装，具备良好的散热性能，能够在高功率密度环境下稳定工作。其工作温度范围宽达-55°C至+175°C，适合在各种恶劣环境条件下运行。
　　该器件的栅极驱动电压范围较宽，通常在±20V以内均可正常工作，便于与多种驱动电路兼容。同时，其具备较高的抗雪崩能力，增强了在高能瞬态条件下的可靠性。

CJAC90N04 MOSFET 主要用于高功率密度和高效率要求的电源管理系统。其典型应用包括但不限于：电源适配器、同步整流器、DC-DC转换器、电池管理系统（BMS）、电机驱动器、负载开关、工业自动化设备、UPS不间断电源、LED照明驱动电路以及电动汽车相关电源系统等。
　　由于其低导通电阻和高电流能力，该器件在高频开关电源设计中表现出色，能够有效降低开关损耗并提高系统效率。此外，在电机控制和电动工具应用中，CJAC90N04能够承受较大的瞬态电流，保证系统的稳定性和可靠性。
　　在新能源领域，如太阳能逆变器和储能系统中，CJAC90N04也常用于功率转换和能量管理模块。其良好的热性能和高可靠性使其成为工业级和汽车级应用的理想选择。

Si9410BDY-T1-GE3, IRF9540N, STP90N4F6, IPW90R03G2-ND, FDD90N04