INN2904K-TL 是一款高性能的 N 沟道增强型 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该器件采用先进的制造工艺,具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能。它适用于多种电源管理应用,如 DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动器等。INN2904K-TL 的封装形式为 TO-252 (DPAK),能够提供良好的散热性能。
该型号属于 Infineon(英飞凌)旗下的产品系列,专为高效能功率转换和开关应用设计。其出色的电气特性和可靠性使其成为许多工业和消费类电子产品的理想选择。
最大漏源电压:40V
连续漏极电流:3.6A
导通电阻:17mΩ
栅极电荷:15nC
总电容:125pF
工作温度范围:-55℃ 至 +175℃
INN2904K-TL 具有以下显著特性:
1. 极低的导通电阻(Rds(on)),可有效降低功耗并提高效率。
2. 快速开关能力,适合高频应用环境。
3. 高度可靠的性能表现,在恶劣的工作条件下也能保持稳定。
4. 小型化封装设计,节省电路板空间,同时具备优秀的散热性能。
5. 广泛的工作温度范围,适应各种应用场景的需求。
6. 符合 RoHS 标准,环保且安全可靠。
INN2904K-TL 可广泛应用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS)中的同步整流。
2. DC-DC 转换器及降压/升压电路。
3. 电池保护和管理系统。
4. 各种负载开关应用。
5. 电机驱动与控制。
6. 工业自动化设备中的功率管理模块。
7. 通信设备中的高效能功率转换解决方案。
IRF7404, FDP5800