FDT461N是一种N沟道增强型场效应晶体管(MOSFET),广泛应用于各种功率转换和开关电路中。该器件采用先进的制造工艺,具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能,非常适合用于电源管理、电机驱动和负载切换等应用领域。
FDT461N的主要特点是其优化的电气特性,能够在高频和高电流条件下提供高效性能。此外,它还具备良好的耐用性和可靠性,能够满足严苛工作环境下的需求。
型号:FDT461N
类型:N沟道MOSFET
VDS(漏源电压):60V
RDS(on)(导通电阻):45mΩ(典型值,VGS=10V)
ID(持续漏极电流):32A
VGS(栅源电压):±20V
fSW(开关频率):最高可达500kHz
封装形式:TO-220
工作温度范围:-55℃至+175℃
FDT461N是一款高性能的功率MOSFET,其关键特性包括:
1. 低导通电阻(RDS(on)),可显著降低传导损耗,提高整体效率。
2. 高速开关能力,适用于高频功率转换应用。
3. 较高的漏源电压(VDS),确保在高压环境下稳定运行。
4. 大电流处理能力,支持高达32A的持续漏极电流。
5. 优异的热稳定性,能够承受较高的结温,从而延长器件寿命。
6. 封装设计坚固,易于安装和散热管理。
7. 宽泛的工作温度范围,适应多种极端环境条件。
这些特性使FDT461N成为各类功率电子设备的理想选择。
FDT461N因其出色的性能和可靠性,适用于以下应用场景:
1. 开关电源(SMPS)中的主开关或同步整流元件。
2. 直流-直流转换器中的功率开关。
3. 电机驱动电路中的功率级元件。
4. 电池管理系统(BMS)中的负载切换开关。
5. 工业自动化设备中的功率控制元件。
6. 汽车电子系统中的各种功率开关应用。
FDT461N凭借其高效率和可靠性,在上述领域中表现出色。
IRFZ44N, FQP30N06L, STP32NF06