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FDT461N 发布时间 时间:2025/7/11 13:08:05 查看 阅读:11

FDT461N是一种N沟道增强型场效应晶体管(MOSFET),广泛应用于各种功率转换和开关电路中。该器件采用先进的制造工艺,具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能,非常适合用于电源管理、电机驱动和负载切换等应用领域。
  FDT461N的主要特点是其优化的电气特性,能够在高频和高电流条件下提供高效性能。此外,它还具备良好的耐用性和可靠性,能够满足严苛工作环境下的需求。

参数

型号:FDT461N
  类型:N沟道MOSFET
  VDS(漏源电压):60V
  RDS(on)(导通电阻):45mΩ(典型值,VGS=10V)
  ID(持续漏极电流):32A
  VGS(栅源电压):±20V
  fSW(开关频率):最高可达500kHz
  封装形式:TO-220
  工作温度范围:-55℃至+175℃

特性

FDT461N是一款高性能的功率MOSFET,其关键特性包括:
  1. 低导通电阻(RDS(on)),可显著降低传导损耗,提高整体效率。
  2. 高速开关能力,适用于高频功率转换应用。
  3. 较高的漏源电压(VDS),确保在高压环境下稳定运行。
  4. 大电流处理能力,支持高达32A的持续漏极电流。
  5. 优异的热稳定性,能够承受较高的结温,从而延长器件寿命。
  6. 封装设计坚固,易于安装和散热管理。
  7. 宽泛的工作温度范围,适应多种极端环境条件。
  这些特性使FDT461N成为各类功率电子设备的理想选择。

应用

FDT461N因其出色的性能和可靠性,适用于以下应用场景:
  1. 开关电源(SMPS)中的主开关或同步整流元件。
  2. 直流-直流转换器中的功率开关。
  3. 电机驱动电路中的功率级元件。
  4. 电池管理系统(BMS)中的负载切换开关。
  5. 工业自动化设备中的功率控制元件。
  6. 汽车电子系统中的各种功率开关应用。
  FDT461N凭借其高效率和可靠性,在上述领域中表现出色。

替代型号

IRFZ44N, FQP30N06L, STP32NF06

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FDT461N参数

  • 标准包装2,500
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列PowerTrench®
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)100V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C540mA
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C2 欧姆 @ 540mA,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)2V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs4nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds74pF @ 25V
  • 功率 - 最大1.13W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-261-4,TO-261AA
  • 供应商设备封装SOT-223-3
  • 包装带卷 (TR)