IRFS4615PBF 是一款由 Infineon Technologies(英飞凌)生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET,广泛应用于高功率、高效率的电子电路中,例如电源管理、电机驱动和 DC-DC 转换器。该器件采用先进的沟槽式技术,具有较低的导通电阻和优异的热性能。
类型:N 沟道 MOSFET
最大漏源电压(VDS):30V
最大漏极电流(ID):120A
导通电阻(RDS(on)):3.3mΩ(典型值)
栅极阈值电压(VGS(th)):2.2V ~ 3.5V
最大功耗(PD):150W
工作温度范围:-55°C 至 175°C
封装形式:TO-263(D2PAK)
IRFS4615PBF MOSFET 的核心特性包括低导通电阻、高电流承载能力和优异的热稳定性,使其在高功率应用中表现出色。其采用先进的沟槽式 MOSFET 技术,能够显著降低导通损耗,提高系统效率。此外,该器件的 TO-263 封装设计提供了良好的散热性能,适用于需要高功率密度的设计。该 MOSFET 还具备较高的抗雪崩能力,能够在恶劣工作条件下保持稳定运行。由于其栅极驱动电压范围较宽(通常为 4.5V 至 20V),该器件可以与多种控制器配合使用,提高了设计的灵活性。
在电气性能方面,IRFS4615PBF 具有较低的输入电容(CISS)和反向传输电容(CRSS),有助于提高开关速度并降低开关损耗。其快速的开关特性使其适用于高频开关电源和电机控制应用。同时,该器件具备较高的短路耐受能力,可以在短时间内承受较大的电流冲击而不会损坏。此外,IRFS4615PBF 还具有良好的抗静电(ESD)性能,能够在制造和使用过程中提供更高的可靠性。
IRFS4615PBF 广泛应用于多个领域,包括工业自动化、电动工具、电源管理、DC-DC 转换器、电池管理系统、电机驱动器和汽车电子。在电源管理应用中,它常用于同步整流、负载开关和电源转换器。在电机控制领域,该 MOSFET 可用于无刷直流电机驱动器和伺服控制系统。此外,它还适用于 UPS(不间断电源)、太阳能逆变器和储能系统等高功率设备。在汽车电子中,IRFS4615PBF 可用于车载充电器、启动电机控制和电动助力转向系统。
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"IRF3717PBF",
"SiR178DP",
"FDMS86180",
"IRFS4331PBF"
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