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IRFS4615PBF 发布时间 时间:2025/8/4 14:18:00 查看 阅读:21

IRFS4615PBF 是一款由 Infineon Technologies(英飞凌)生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET,广泛应用于高功率、高效率的电子电路中,例如电源管理、电机驱动和 DC-DC 转换器。该器件采用先进的沟槽式技术,具有较低的导通电阻和优异的热性能。

参数

类型:N 沟道 MOSFET
  最大漏源电压(VDS):30V
  最大漏极电流(ID):120A
  导通电阻(RDS(on)):3.3mΩ(典型值)
  栅极阈值电压(VGS(th)):2.2V ~ 3.5V
  最大功耗(PD):150W
  工作温度范围:-55°C 至 175°C
  封装形式:TO-263(D2PAK)

特性

IRFS4615PBF MOSFET 的核心特性包括低导通电阻、高电流承载能力和优异的热稳定性,使其在高功率应用中表现出色。其采用先进的沟槽式 MOSFET 技术,能够显著降低导通损耗,提高系统效率。此外,该器件的 TO-263 封装设计提供了良好的散热性能,适用于需要高功率密度的设计。该 MOSFET 还具备较高的抗雪崩能力,能够在恶劣工作条件下保持稳定运行。由于其栅极驱动电压范围较宽(通常为 4.5V 至 20V),该器件可以与多种控制器配合使用,提高了设计的灵活性。
  在电气性能方面,IRFS4615PBF 具有较低的输入电容(CISS)和反向传输电容(CRSS),有助于提高开关速度并降低开关损耗。其快速的开关特性使其适用于高频开关电源和电机控制应用。同时,该器件具备较高的短路耐受能力,可以在短时间内承受较大的电流冲击而不会损坏。此外,IRFS4615PBF 还具有良好的抗静电(ESD)性能,能够在制造和使用过程中提供更高的可靠性。

应用

IRFS4615PBF 广泛应用于多个领域,包括工业自动化、电动工具、电源管理、DC-DC 转换器、电池管理系统、电机驱动器和汽车电子。在电源管理应用中,它常用于同步整流、负载开关和电源转换器。在电机控制领域,该 MOSFET 可用于无刷直流电机驱动器和伺服控制系统。此外,它还适用于 UPS(不间断电源)、太阳能逆变器和储能系统等高功率设备。在汽车电子中,IRFS4615PBF 可用于车载充电器、启动电机控制和电动助力转向系统。

替代型号

[
   "IRF3717PBF",
   "SiR178DP",
   "FDMS86180",
   "IRFS4331PBF"
  ]

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IRFS4615PBF参数

  • 标准包装50
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列HEXFET®
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)150V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C33A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C42 毫欧 @ 21A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)5V @ 100µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs40nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds1750pF @ 50V
  • 功率 - 最大144W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
  • 供应商设备封装D2PAK
  • 包装管件