晶体管类型：NPN
　　最大集电极电流（IC）：100 mA
　　最大集电极-发射极电压（VCE）：30 V
　　最大集电极-基极电压（VCB）：30 V
　　最大发射极-基极电压（VEB）：5 V
　　最大功耗（PD）：300 mW
　　增益（hFE）：200 - 450（在IC=2 mA, VCE=5V）
　　过渡频率（fT）：100 MHz
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C

BC847B-Q具备多个优异的电气特性，使其适用于广泛的电子电路设计。
　　首先，该晶体管的增益范围为200至450，在不同的工作条件下仍能保持稳定的放大性能，适合用于音频放大、信号处理和低噪声放大电路。
　　其次，BC847B-Q的最大集电极电流为100 mA，集电极-发射极电压和集电极-基极电压均为30 V，使其在中低功率开关应用中表现良好。此外，该晶体管的过渡频率（fT）为100 MHz，适合用于高频放大和数字开关电路。
　　该器件采用SOT-23封装，具有良好的热稳定性和机械强度，适用于表面贴装工艺，提高PCB组装效率。
　　BC847B-Q还具有较高的可靠性和耐用性，能够在-55°C至+150°C的宽温度范围内稳定工作，适用于汽车电子、工业控制和消费类电子产品。
　　此外，BC847B-Q符合RoHS标准，具有无铅环保特性，满足现代电子制造对环保材料的要求。

BC847B-Q因其优良的电气特性和紧凑的封装结构，广泛应用于多个领域。
　　在汽车电子系统中，它常用于传感器信号放大、继电器驱动、LED控制和车载网络接口电路。
　　在工业自动化控制中，该晶体管可用于PLC输入输出模块、继电器控制、电机驱动和传感器信号调理。
　　在消费类电子产品中，BC847B-Q可用于音频放大器前置级、LED背光控制、逻辑电平转换以及小型电源管理电路。
　　此外，它还广泛用于嵌入式系统的GPIO扩展、MOSFET驱动、数字开关和模拟信号处理电路中。
　　由于其高频响应特性，BC847B-Q也可用于射频前端放大器、无线通信模块和低噪声放大电路。

BC847B, BC547B, 2N3904, MMBT3904, 2N2222A