存储容量：256K位（32K x 8）
　　电源电压：5V
　　访问时间：10ns
　　封装类型：SOJ（小型J形引脚封装）
　　引脚数量：52
　　工作温度范围：工业级（-40°C至+85°C）
　　输入/输出类型：三态输出
　　封装尺寸：约18.4mm x 13.5mm
　　功耗（典型值）：约200mA（工作状态）

MCM6726DWJ10R 是一款高速SRAM芯片，其主要特性包括高速访问时间、低功耗设计和高可靠性。该芯片的访问时间仅为10纳秒，使其能够满足高速数据读写需求，适用于高性能计算系统和实时控制系统。其采用的CMOS工艺不仅降低了功耗，还提升了抗干扰能力，使其在复杂电磁环境中依然保持稳定工作。该芯片的三态输出设计允许其直接连接到总线系统，而不会对其他设备造成干扰，非常适合用于多任务或多设备共享总线的系统架构。MCM6726DWJ10R 还具有宽工作温度范围的特点，适用于工业级和军用级应用场景，确保在极端环境下依然能稳定运行。

MCM6726DWJ10R 主要用于需要高速数据存储和快速访问的场合，例如嵌入式系统、工业控制设备、通信设备、测试仪器和军事电子设备。由于其高速存取性能和低功耗设计，该芯片常被用作微处理器或微控制器的外部缓存，用于提升系统的运行效率。此外，该芯片也适用于网络设备中的缓冲存储器，用于临时存储和转发数据包，提高通信效率。在自动化控制系统中，MCM6726DWJ10R 可用于存储关键数据或程序指令，确保系统在断电或重启时能够快速恢复运行。

MCM6726DWJ10R的替代型号包括MCM6726DWJ12R、MCM6726DWJ15R、CY62148EVLL-10ZSXI、IDT71V416SA10PFG和IS61LV25616ALB4-10。