时间：2025/9/13 23:47:30
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PMV42ENE是一款由Nexperia（原飞利浦半导体部门）生产的N沟道增强型功率MOSFET。该器件适用于多种电源管理和开关应用，具备良好的导通性能和热稳定性。PMV42ENE采用SOT23封装，适用于便携式设备、电源开关、负载控制以及各种中低功率应用场景。该MOSFET具备较低的导通电阻（Rds(on)），能够在较小的封装尺寸下提供较高的电流承载能力。
类型：N沟道
漏源电压(Vds)：30V
栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：100mA（@Vgs=10V）
导通电阻(Rds(on))：1.5Ω（@Vgs=10V）
功率耗散(Pd)：300mW
工作温度范围：-55°C至150°C
封装类型：SOT23
PMV42ENE具有低导通电阻，使其在开关过程中能减少功率损耗并提高效率。
该MOSFET具备良好的热稳定性，能够在高温环境下稳定工作。
其SOT23封装形式适合表面贴装工艺，适用于紧凑型电路设计。
器件的栅极驱动电压范围较宽，支持2V至10V之间的驱动，增强了其在不同电路环境中的适应性。
具备较高的击穿电压和过载能力，适用于负载开关和电源管理应用。
由于其封装小巧，适合在空间受限的便携式电子设备中使用。
PMV42ENE常用于电源管理系统中的负载开关、DC-DC转换器、LED驱动电路、电池供电设备、逻辑接口控制电路以及各类低功率开关应用。
它适用于需要高效能、小尺寸和低功耗的工业控制、消费类电子产品和通信设备。
该器件也可用于电机驱动、传感器控制和智能电表等场景，提供稳定的开关控制功能。
PMV42ENEA, PMV48X, 2N7002, BSS138
