时间：2025/6/3 16:32:41
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RFP8N20L 是一款 N 沟道功率场效应晶体管（MOSFET），采用 TO-252 封装形式。这款 MOSFET 通常用于开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动等应用场合，具有低导通电阻和快速开关特性。
RFP8N20L 的最大漏源电压为 200V，适合高压应用环境，同时其高电流处理能力和较低的栅极电荷使其在高频开关应用中表现出色。
最大漏源电压：200V
连续漏极电流：3.9A
导通电阻：1.4Ω
栅极电荷：20nC
总功耗：1.7W
工作温度范围：-55℃至+150℃
RFP8N20L 具有以下主要特性：
1. 高耐压能力，最大漏源电压可达 200V，适用于多种高压电路。
2. 低导通电阻，仅为 1.4Ω，能够有效降低导通损耗。
3. 快速开关性能，得益于较小的栅极电荷（20nC），能够在高频应用中减少开关损耗。
4. 高电流处理能力，连续漏极电流可达 3.9A，满足大功率应用需求。
5. 宽工作温度范围，从 -55℃ 至 +150℃，保证了器件在极端环境下的稳定性。
6. TO-252 封装，便于安装与散热设计。
RFP8N20L 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器中的功率开关元件。
2. 电机驱动和控制电路中的功率级元件。
3. 电池管理系统的保护和切换开关。
4. 各种工业自动化设备中的负载开关。
5. 通信电源模块中的高效功率转换组件。
6. 照明系统中的 LED 驱动电路开关元件。
RFP8N20,
IRF840,
FQA14N20C,
STP36NF20,
2SK2946
