型号：7N60KG-TN3-R
　　类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：600V
　　最大漏极电流（ID）：7A（连续）
　　最大脉冲漏极电流（IDM）：28A
　　最大栅源电压（VGS）：±30V
　　最大功耗（PD）：50W
　　导通电阻（RDS(on)）：典型值0.95Ω（@ VGS=10V, ID=3.5A）
　　栅极电荷（Qg）：典型值33nC（@ VDS=480V, ID=7A）
　　输入电容（Ciss）：典型值1100pF（@ VDS=25V）
　　反向恢复时间（trr）：典型值55ns
　　开启延迟时间（td(on)）：典型值15ns
　　关断延迟时间（td(off)）：典型值45ns
　　上升时间（tr）：典型值20ns
　　下降时间（tf）：典型值25ns
　　工作结温范围（Tj）：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围（Tstg）：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：TO-252 (DPAK)
　　安装方式：表面贴装
　　通道数：单通道
　　极性：增强型N沟道

7N60KG-TN3-R采用高性能高压MOSFET工艺制造，具备出色的电气性能和热稳定性，特别针对离线式开关电源中的硬开关和准谐振拓扑进行了优化。其600V的漏源击穿电压可有效支持宽范围交流输入（如90VAC至265VAC）的应用场景，确保在峰值电压下仍具有足够的安全裕量。器件的低导通电阻（RDS(on)）显著降低了导通状态下的功率损耗，提高了电源系统的整体转换效率，尤其在中等负载条件下表现优异。
　　该MOSFET具有较低的栅极电荷（Qg）和米勒电容（Crss），这意味着在高频开关操作中所需的驱动能量更少，从而降低了驱动电路的设计复杂度并减少了开关过程中的能量损耗。此外，其快速的开关响应能力（包括短的开启和关断延迟时间）使得该器件非常适合用于工作频率高达数百kHz的SMPS设计中，有助于减小磁性元件体积，提升功率密度。
　　7N60KG-TN3-R的体二极管具备较短的反向恢复时间（trr），这在连续导通模式（CCM）PFC或LLC谐振转换器中尤为重要，能够有效抑制因反向恢复引起的电压尖峰和电磁干扰问题，提升系统可靠性和EMI性能。器件还具备良好的热阻特性（RθJC），结合TO-252封装的散热片设计，可在不使用额外散热器的情况下承受较高功耗，适用于紧凑型电源模块设计。
　　此外，该器件通过了严格的质量认证和可靠性测试，包括高温反向偏压（HTRB）、高温栅极偏压（HTGB）和高压蒸气老化试验，确保长期运行的稳定性。其一致的参数分布和批次稳定性也便于大规模生产中的元器件替换与一致性控制，是工业、消费类及照明电源领域中值得信赖的核心开关器件。

7N60KG-TN3-R主要应用于各类需要高效、高压开关能力的电源系统中。典型应用包括：离线式反激式开关电源（Flyback Converter），常用于手机充电器、笔记本电脑适配器、机顶盒和路由器等消费电子产品供电；有源功率因数校正电路（Active PFC），用于提升电源输入端的功率因数，满足能源效率法规要求；LED恒流驱动电源，特别是在非隔离和隔离式LED照明方案中作为主开关管使用；辅助电源（Auxiliary Power Supply）和待机电源（Standby Power Supply）设计，在主电源关闭后维持系统部分功能运行；此外，也适用于小型逆变器、电机驱动控制板以及工业控制设备中的DC-DC转换模块。
　　由于其具备良好的高频响应和热性能，该器件在高密度集成电源模块和追求小型化设计的产品中尤为受欢迎。同时，其稳定的参数特性和较强的抗干扰能力使其能够在电磁环境复杂的工业现场中可靠运行。在设计时配合适当的栅极驱动电阻和吸收电路，可以进一步优化其开关行为，降低电压应力，延长使用寿命。因此，7N60KG-TN3-R是一款兼具性能、可靠性和成本效益的主流中压大电流MOSFET器件，广泛服务于现代绿色能源和高效电源管理领域。

[
　　 "7N60K",
　　 "APT7N60BG",
　　 "STP7NK60ZFP",
　　 "FQP7N60L",
　　 "KIA7N60",
　　 "IRF7N60HD"
　　]