类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压(Vds)：200V
　　最大漏极电流(Id)：75A
　　导通电阻(Rds(on))：20毫欧（典型值）
　　最大栅源电压(Vgs)：±20V
　　最大工作温度：150℃
　　封装类型：TO-247
　　功率耗散(Pd)：200W

T7S0207504DN 的主要特性之一是其极低的导通电阻（Rds(on)），这有助于降低导通损耗并提高整体效率。该器件采用先进的沟槽式MOSFET技术，使得在高电压应用中仍能保持优异的开关性能。
　　此外，T7S0207504DN 具有较高的电流承受能力，在连续漏极电流达到75A的情况下仍能保持稳定工作，适用于高功率密度的设计需求。其高耐压能力（200V）使其能够在高压系统中可靠运行。
　　该MOSFET的封装形式为TO-247，具有良好的热管理性能，能够有效散热，从而延长器件的使用寿命。同时，其栅极驱动电压范围较宽，支持±20V，允许使用不同的驱动电路配置，增加了设计的灵活性。
　　另一个关键特性是其快速开关能力，有助于减少开关损耗，并在高频应用中保持高效率。这对于现代电源系统中追求更高效率和更小尺寸的方案尤为重要。

T7S0207504DN 通常用于需要高效率和高功率密度的电源系统中，如开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、不间断电源（UPS）、电池管理系统（BMS）以及工业电机控制等应用。此外，它还适用于太阳能逆变器、电动车充电系统、储能系统等新能源相关领域。
　　在DC-DC转换器中，T7S0207504DN 可作为主开关器件，实现高效的电压转换，尤其适用于高电流输出的应用。在电机控制应用中，该器件可用于H桥电路，实现电机的双向控制。
　　由于其出色的热稳定性和高电流能力，T7S0207504DN 也适合用于多并联MOSFET配置的高功率系统中，以进一步提升系统的输出能力与稳定性。

TK75E08K3C1AG2H, IPW65R025CFD7