时间：2025/12/29 14:26:59
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RFP45N02L是一款N沟道增强型功率MOSFET，由Renesas（瑞萨电子）生产，适用于高频率开关和电源管理应用。这款MOSFET以其高效率、低导通电阻和良好的热稳定性而闻名，适合用于DC-DC转换器、负载开关、马达控制以及电源管理系统。
类型：N沟道
最大漏极电流（ID）：45A
漏源极电压（VDS）：20V
栅源极电压（VGS）：±12V
导通电阻（RDS(on)）：典型值为7.5mΩ（在VGS=10V时）
工作温度范围：-55°C至+175°C
RFP45N02L具有低导通电阻，这使得它在高电流应用中能够减少功率损耗，提高系统效率。其高频率特性使其适用于高频开关电路，降低了输出纹波并减少了外部滤波元件的尺寸。该MOSFET还具有优异的热稳定性，能够在高温环境下保持稳定的性能。此外，其紧凑的封装设计有助于节省PCB空间，并提高了整体设计的灵活性。RFP45N02L还具有良好的抗雪崩能力和高耐用性，确保在极端条件下仍能可靠运行。
RFP45N02L广泛应用于电源管理系统，如DC-DC转换器、负载开关、电池管理系统、马达控制电路以及汽车电子系统。它也常用于服务器、笔记本电脑和工业设备中的电源调节模块。
Si4445DY, FDS4435B, IPD90N03S4-01
