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6CWH02FNPBF 发布时间 时间:2025/7/22 12:18:27 查看 阅读:5

6CWH02FNPBF 是 Microchip Technology(原 Atmel)生产的一款低功耗 CMOS 静态随机存取存储器(SRAM)芯片,容量为 2 Mbit(256K x 8),采用高速访问技术,适用于需要快速数据存取的嵌入式系统和工业控制应用。该器件采用标准异步SRAM接口,支持独立的片选(CE)和输出使能(OE)控制,便于与各种微处理器和控制器连接。

参数

容量:2 Mbit (256K x 8)
  组织方式:x8
  电源电压:2.3V ~ 3.6V
  最大访问时间:55 ns
  工作温度范围:-40°C ~ +85°C
  封装类型:TSOP
  引脚数:54
  封装尺寸:52-Pin TSOP-II
  工艺技术:CMOS
  静态电流:最大 10 mA(典型值)
  读电流(最大):160 mA @ 55 ns

特性

6CWH02FNPBF 是一款高性能异步SRAM,具备高速访问能力和低功耗设计,适用于嵌入式系统、工业控制设备、网络设备及消费类电子产品。该器件支持全地址/数据异步操作,提供灵活的控制信号,包括片选(CE)、写使能(WE)和输出使能(OE),便于与多种主控芯片进行接口设计。
  该SRAM芯片采用CMOS工艺制造,具有高抗干扰能力和稳定性,适合在工业级温度范围(-40°C至+85°C)内运行。其低待机电流(最大10mA)使其在低功耗应用中表现出色,同时在高速访问时仍能保持良好的性能表现。
  6CWH02FNPBF 的TSOP封装形式(54引脚)具有较小的封装尺寸和良好的热性能,适用于空间受限的电路板设计。此外,该器件符合RoHS环保标准,无铅封装,适用于现代绿色电子产品设计。

应用

6CWH02FNPBF 主要用于需要高速数据缓存和临时存储的场景,如嵌入式系统的外部存储扩展、工业控制器、通信设备、测试仪器、图形处理模块、数据采集系统、打印机和扫描仪等外设控制器中。由于其高速访问时间和低功耗特性,也适用于便携式设备和电池供电系统中的数据缓存应用。

替代型号

IS62WV2568BLL-55BLLI、CY62148EVBLL-55BEC、M28W2560FCB6NG、62CWH02FNPBF

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6CWH02FNPBF参数

  • 制造商Vishay
  • 产品种类整流器
  • 产品Ultra Fast Recovery Rectifiers
  • 配置Dual Common Cathode
  • 反向电压200 V
  • 正向电压下降1.2 V
  • 恢复时间35 ns
  • 正向连续电流6 A
  • 最大浪涌电流50 A
  • 反向电流 IR5 uA
  • 安装风格SMD/SMT
  • 封装 / 箱体DPAK
  • 封装Tube
  • 最大工作温度+ 175 C
  • 最小工作温度- 65 C
  • 工厂包装数量75