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RFP3055LE 发布时间 时间:2025/5/31 1:33:29 查看 阅读:7

RFP3055LE 是一款 N 沃特 (Nexperia) 公司生产的 N 沟道功率场效应晶体管 (MOSFET),采用 TO-252 封装形式。该器件以其低导通电阻和高开关速度著称,非常适合用于各种电源管理、电机驱动和负载切换应用。其额定电压为 55V,连续漏极电流高达 16A(在合适的散热条件下),并且具有出色的热稳定性和可靠性。
  该 MOSFET 的设计使其成为消费电子、工业设备和汽车应用的理想选择。此外,RFP3055LE 还具备逻辑电平栅极驱动能力,可以与标准 CMOS 或 TTL 输出接口兼容。

参数

最大漏源电压:55V
  最大连续漏极电流:16A
  最大栅源电压:±20V
  典型导通电阻 (Rds(on)):40mΩ @ Vgs=10V
  总功耗:79W
  工作温度范围:-55°C 至 +150°C
  封装形式:TO-252 (DPAK)

特性

RFP3055LE 的主要特性包括低导通电阻 (Rds(on)) 和高效率性能。它在 10V 栅极驱动电压下的典型导通电阻仅为 40mΩ,从而显著减少了传导损耗。此外,它的快速开关能力和低栅极电荷使得其在高频开关应用中表现优异。
  该器件还具有出色的热性能,能够承受较高的结温 (最高可达 150°C),这有助于提高系统的可靠性和寿命。同时,RFP3055LE 支持逻辑电平驱动,简化了电路设计并降低了对复杂驱动电路的需求。
  RFP3055LE 采用了符合 RoHS 标准的环保材料,并且具备抗静电保护功能 (HBM > 2kV),确保了其在制造和使用过程中的安全性。

应用

RFP3055LE 广泛应用于多种领域,例如开关电源 (SMPS)、DC/DC 转换器、电机驱动器、电池保护电路、LED 驱动器以及负载开关等场景。其高电流承载能力和低导通损耗使其特别适合于需要高效能量转换的应用。
  在消费电子领域,它可用于笔记本电脑适配器、智能手机充电器和家用电器。而在工业领域,RFP3055LE 则适用于工厂自动化设备、机器人控制单元和不间断电源 (UPS) 系统。此外,由于其坚固耐用的设计,这款 MOSFET 也常被用作汽车电子系统的组件,如电动窗控制器和座椅调节模块。

替代型号

RFP30N06LE, IRF540N, FDP018N06L

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RFP3055LE参数

  • 标准包装400
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列-
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)60V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C11A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C107 毫欧 @ 8A,5V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)3V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs11.3nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds350pF @ 25V
  • 功率 - 最大38W
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-220-3
  • 供应商设备封装TO-220AB
  • 包装管件