类型：IGBT模块
　　拓扑结构：双功率模块（Dual）
　　额定电流：150A
　　额定电压：1200V
　　导通压降（Vce_sat）：典型值为1.7V @ 150A, 25°C
　　最大工作温度：150°C
　　封装形式：SEMITOP 4
　　热阻（Rth）：0.32 K/W（模块结至基板）
　　短路电流能力：450A
　　最大工作频率：100kHz
　　隔离电压：2500V AC（模块与散热器之间）

SEMIX156GD12T4P 模块具备多项先进特性。首先，它采用了SiC技术，使得模块具有更低的导通和开关损耗，从而提高了整体效率。其次，该模块具备出色的热性能，热阻低至0.32 K/W，有助于在高功率应用中保持稳定的工作温度，延长模块的使用寿命。此外，模块内部结构优化，支持高频率操作，适用于高频开关电源、电机驱动、UPS系统以及新能源发电等应用。模块的封装设计也具备良好的绝缘性能，隔离电压高达2500V AC，确保在高压环境下的安全运行。另外，该模块具备较高的短路耐受能力，能够在极端工况下提供稳定可靠的性能，确保系统不会因突发的电流冲击而损坏。
　　此外，该模块还具备良好的EMI（电磁干扰）抑制能力，减少对周围电子设备的干扰，同时模块的封装设计也提高了其机械强度和抗振动能力，适用于工业环境中的严苛条件。模块的封装材料和工艺也经过严格测试，确保在高温、高湿等恶劣环境下仍能稳定工作。

SEMIX156GD12T4P 模块广泛应用于多个高功率电子系统中。在工业自动化领域，常用于高性能电机驱动器和变频器，提供高效、稳定的功率输出。在新能源领域，该模块被广泛应用于光伏逆变器、储能系统以及风力发电变流器，以提高能量转换效率。此外，在电动汽车充电设备、轨道交通牵引系统、不间断电源（UPS）和工业电源等领域，该模块也有着广泛的应用。由于其具备高频工作能力和优异的热管理性能，特别适用于需要紧凑设计和高效能的现代电力电子系统。例如，在高频开关电源中，该模块可以显著减少系统体积并提高整体效率。同时，其优异的短路保护能力和EMI抑制特性，使其在安全性要求较高的工业设备中具有明显优势。

SKM150GB12T4, FS150R12W1T4_B11, SEMIX153GB126HDSP