时间：2025/8/14 20:54:02
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RFP20L45CT 是一款由安森美半导体（ON Semiconductor）制造的N沟道功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件专为高电流、高效率的功率转换应用而设计，具有低导通电阻和高耐压能力，适用于电源管理、DC-DC转换器、电机控制、电池充电系统以及各种工业和消费类电子设备。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（VDS）：45V
连续漏极电流（ID）@ 25°C：20A
导通电阻（RDS(on)）：最大35mΩ @ VGS = 10V
栅极阈值电压（VGS(th)）：2.1V ~ 4V
功耗（PD）：83W
工作温度范围：-55°C ~ +175°C
封装形式：TO-220AB
RFP20L45CT 采用先进的沟槽式功率MOSFET技术，具有极低的导通电阻，有助于降低导通损耗并提高能效。该器件的高电流承载能力使其非常适合用于高功率密度设计。此外，其坚固的结构设计提供了良好的热稳定性和可靠性，能够在高温环境下稳定工作。
该MOSFET具备快速开关特性，适用于高频开关应用，如DC-DC降压/升压转换器、同步整流器等。其TO-220封装便于散热，并且易于安装在标准的PCB上，适用于各种电源管理电路。
由于其低栅极电荷（Qg）和优异的跨导（gfs）特性，RFP20L45CT 在高频操作中表现出色，有助于提高系统效率。此外，它具备良好的抗雪崩能力，可在极端工作条件下提供更高的稳定性。
RFP20L45CT 常用于以下类型的应用中：开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、同步整流、电池管理系统（BMS）、电机驱动、负载开关、工业控制设备、UPS系统、LED照明电源、汽车电子（如车载充电器）等。由于其高可靠性和高效率，该器件也广泛应用于绿色能源设备，如太阳能逆变器和风能控制系统。
IRFZ44N, STP20NF45, FDP20N45H, RFP50N06, SiHF20N45D
