时间：2025/7/4 5:28:10
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RLA130N03FD5TB 是一款基于沟槽栅极场效应技术的 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件具有低导通电阻和快速开关特性，适用于高效能功率转换应用。其电压等级为 30V，非常适合用于 DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动等场景。
RLA130N03FD5TB 的设计注重降低传导损耗和开关损耗，使其在高频率操作下仍然保持高效性能。同时，它的封装形式经过优化以提升散热能力，从而进一步增强整体系统可靠性。
最大漏源电压(Vds)：30V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：130A
导通电阻(Rds(on))：1.3mΩ（典型值，在 Vgs=10V 时）
输入电容(Ciss)：4500pF
总栅极电荷(Qg)：95nC
最大功耗(Pd)：180W
结温范围(Tj)：-55°C 至 +175°C
封装形式：TO-247-3
RLA130N03FD5TB 具备以下显著特性：
1. 极低的导通电阻 Rds(on)，有效减少功率损耗，提高系统效率。
2. 快速开关速度，得益于低栅极电荷 Qg 和优化的内部结构设计。
3. 高额定电流 Id，适合需要大电流处理能力的应用场景。
4. 宽工作温度范围，确保在极端环境下的稳定运行。
5. 符合 RoHS 标准，环保且满足国际法规要求。
6. 优异的热性能，通过优化封装设计实现更高效的散热。
RLA130N03FD5TB 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源 (SMPS) 中的主功率级开关元件。
2. DC-DC 转换器中的同步整流或降压/升压开关。
3. 电机驱动电路中的功率开关元件。
4. 工业设备中的负载开关或保护电路。
5. 新能源领域如太阳能逆变器或储能系统的功率管理模块。
6. 各种高效率功率转换需求的场合，包括电动汽车充电器和 UPS 系统。
RLA120N03FD5TB, RLA150N03FD5TB
