STGW38IH130D 是意法半导体(STMicroelectronics)推出的一款高集成度的IGBT(绝缘栅双极型晶体管)功率模块,专为工业电机控制、变频器、逆变器等应用设计。该模块集成了IGBT芯片和反向并联二极管,采用先进的沟槽栅场截止(Trench Field-Stop)技术,提供高效的功率转换性能。
类型:IGBT模块
集电极-发射极电压(VCES):1300 V
集电极电流(IC):75 A(Tc=25℃)
短路电流能力:300 A
工作温度范围:-40°C至150°C
封装形式:HiP247
导通压降:约1.55 V(@ IC=75 A)
关断损耗(Eoff):约2.6 mJ(@ IC=75 A,VCE=800 V)
STGW38IH130D 采用先进的沟槽栅场截止技术,使得IGBT在导通损耗和开关损耗之间实现了良好的平衡。其低导通压降和快速开关特性,使其适用于高效率和高功率密度的应用。此外,该模块具备较高的短路耐受能力,增强了系统在异常工况下的可靠性。
该模块的封装设计优化了热管理和电气绝缘性能,便于安装和散热。其高集成度结构减少了外围电路的复杂性,提高了系统的整体稳定性。STGW38IH130D还具备良好的电磁兼容性(EMC),适用于工业环境中较为严苛的电磁干扰要求。
器件内部采用了ST先进的硅片技术,确保了在高温下的稳定工作能力,同时具备良好的长期可靠性。其封装材料符合RoHS标准,支持环保应用。
STGW38IH130D 主要应用于工业电机驱动、变频器、UPS不间断电源、太阳能逆变器、电焊机以及高频电源等需要高效功率转换的场合。由于其高电压和大电流能力,也适用于需要高可靠性和高性能的工业自动化设备和电力电子系统。
FGA30N120D, SKM75GB12T4