时间：2025/5/8 14:18:10
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IRF1010EZ 是一款高性能的 N 沟道功率 MOSFET，采用 TO-247 封装形式。该器件专为高效率、高频率应用而设计，具有低导通电阻和快速开关特性，广泛应用于电源管理、电机驱动、DC-DC 转换器以及逆变器等领域。其增强型结构使其在栅极电压作用下能够导通电流，同时具备良好的热性能和电气性能。
最大漏源电压：50V
连续漏极电流：46A
导通电阻：3.5mΩ（典型值，在 Vgs=10V 时）
栅极电荷：88nC（最大值）
反向恢复时间：48ns
工作结温范围：-55℃至+175℃
IRF1010EZ 具有非常低的导通电阻 Rds(on)，这有助于减少传导损耗并提高整体效率。
该器件还具有较高的雪崩能量能力，从而增强了其在异常条件下的鲁棒性。
此外，其快速开关速度降低了开关损耗，非常适合高频操作环境。
TO-247 的封装形式提供了优秀的散热性能，使其能够在高功率密度条件下稳定运行。
由于采用了先进的制造工艺，IRF1010EZ 在动态特性和静态特性之间取得了良好的平衡，适合多种工业和消费类应用需求。
IRF1010EZ 广泛用于需要高效功率转换的场景中，例如开关电源 (SMPS)、DC-DC 转换器、不间断电源 (UPS)、太阳能逆变器以及各类电机驱动系统。
其低导通电阻和快速开关能力使其成为高电流、高频应用的理想选择。
此外，它也适用于负载点转换器 (POL) 和电池管理系统 (BMS) 等领域。
IRF1010Z,
STP50NF06,
IXFN40N06T,
FDP55K7
