类型：LDMOS射频功率晶体管
　　频率范围：225 MHz - 1 GHz
　　输出功率：120 W
　　增益：20 dB @ 1 GHz
　　漏极电压：65 V
　　工作温度范围：-40°C 至 +150°C
　　封装类型：Surface Mount
　　输入驻波比（VSWR）：2.5:1（最大）
　　输出驻波比（VSWR）：10:1（最大）

RFHA1021USQ 采用了先进的LDMOS技术，使其在高频范围内表现出色。该器件能够在225 MHz至1 GHz的频率范围内提供高达120 W的输出功率，并且在1 GHz频率下可实现20 dB的高增益。这种高增益和宽频率响应使其非常适合用于多频段射频放大器设计。
　　该器件的漏极电压为65 V，具有较高的耐压能力，能够在高功率条件下保持稳定运行。此外，RFHA1021USQ 的输入驻波比（VSWR）最大为2.5:1，输出驻波比最大为10:1，这表明它在不同负载条件下具有良好的匹配能力，有助于减少系统设计中的反射功率，提高整体效率。
　　其表面贴装封装（SMD）设计使得该晶体管易于安装在高密度PCB上，同时减少了寄生电感和电容效应，从而提高了高频性能。此外，RFHA1021USQ 支持-40°C至+150°C的工作温度范围，适用于各种恶劣环境条件下的应用，如户外基站和工业设备。
　　由于其高可靠性和优异的热性能，RFHA1021USQ 也适合长时间高功率运行的应用。该器件还具有良好的热阻特性，有助于在高功率操作时有效散热，从而延长器件寿命并提高系统稳定性。

RFHA1021USQ 主要用于需要高功率放大的射频系统，如蜂窝基站、广播发射器、无线基础设施设备和工业射频加热设备。由于其宽频带特性，它也可用于多频段通信系统，如GSM、WCDMA、LTE和TETRA等。此外，该器件适用于Doherty放大器架构，以提高射频系统的整体效率，降低功耗和散热需求。在广播和专业通信设备中，RFHA1021USQ 可用于构建高效的射频发射模块，确保稳定的信号传输和覆盖范围。

NXP AFT04WN120N, Cree CGH40120