CGA3E2NP01H102J080AA 是一款高性能的功率晶体管,属于 N 沣道晶体管类别。该型号专为高频和高功率应用设计,广泛应用于开关电源、逆变器、电机驱动以及各类功率转换系统中。其采用了先进的半导体制造工艺,具有低导通电阻、高击穿电压和快速开关速度的特点。
该器件通过优化的芯片设计和封装技术,在保证高效性能的同时,也提升了散热能力和可靠性,适合在严苛的工作环境下使用。
类型:N 沖道 MOSFET
最大漏源电压(VDS):100V
最大栅源电压(VGS):±20V
持续漏极电流(ID):80A
导通电阻(RDS(on)):1.5mΩ(典型值,@VGS=10V)
输入电容(Ciss):4500pF
输出电容(Coss):120pF
栅极电荷(Qg):180nC
最大功耗(PD):160W
工作温度范围(Tj):-55℃ 至 +175℃
1. 低导通电阻 (RDS(on)):有助于减少导通损耗,提高效率。
2. 高击穿电压:可承受高达 100V 的漏源电压,适用于多种高压应用场景。
3. 快速开关速度:由于低栅极电荷和小的输入/输出电容,能够实现快速的开关切换,从而降低开关损耗。
4. 大电流能力:支持高达 80A 的持续漏极电流,满足高功率需求。
5. 散热优化:采用高效的封装技术,确保良好的散热性能,延长器件使用寿命。
6. 宽温范围:能够在极端温度条件下正常工作,适应各种工业环境。
1. 开关电源(SMPS):用于 DC-DC 和 AC-DC 转换器中,提供高效的功率转换。
2. 电机驱动:适用于无刷直流电机(BLDC)和其他类型的电机驱动电路。
3. 逆变器:用于太阳能逆变器和不间断电源(UPS)等设备中,进行功率调节。
4. 功率因数校正(PFC):在 PFC 电路中用作主开关元件,提升系统的功率因数。
5. 充电器:应用于快速充电器和电动汽车充电站中,提供稳定的大电流输出。
CGA3E2NP01H102J080AB, CGA3E2NP01H102J080AC, IRFP260N, FDP55N10A