时间：2025/8/16 22:01:51
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CJ5853DDC 是一款由国产厂商设计的高性能、低功耗的N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于电源管理、开关电源、电机驱动、LED照明等需要高效能功率开关的场合。该器件采用先进的沟槽式技术，具备较低的导通电阻和优异的热性能，能够在较高的开关频率下稳定工作。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流（ID）：120A（在TC=25℃）
最大漏源电压（VDS）：30V
最大栅源电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：典型值为4.5mΩ（在VGS=10V）
工作温度范围：-55℃至+150℃
封装形式：D2PAK（TO-263）
CJ5853DDC 采用了先进的沟槽型MOSFET工艺，显著降低了导通电阻，从而减少了导通损耗，提高了整体能效。该器件的低栅极电荷（Qg）使其非常适合高频开关应用，能够有效降低开关损耗，提升系统效率。此外，CJ5853DDC 具备良好的热稳定性，其D2PAK封装设计可有效散热，支持在高功率密度应用中稳定运行。
该MOSFET具备较高的雪崩能量耐受能力，增强了其在严苛工作环境下的可靠性。其栅极氧化层经过优化设计，提高了抗静电能力和长期使用的稳定性。CJ5853DDC 还具有快速开关响应特性，使其适用于同步整流、DC-DC转换器以及电池管理系统等对响应速度要求较高的场合。
该器件在设计上考虑了短路保护和过温保护功能的兼容性，适合在工业级和汽车电子应用中使用。
CJ5853DDC 主要应用于电源管理系统、开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、负载开关、电机驱动器、LED驱动模块、电池管理系统（BMS）以及汽车电子控制系统中。其低导通电阻和高电流承载能力使其成为高效能功率开关的理想选择，特别是在要求高可靠性和高效率的场合。
SiR3460DP-T1-GE3, IPB013N04NG4S, FDS6680, CJ5853DDS
