RFG50P05E 是一款由瑞萨电子(Renesas Electronics)推出的功率MOSFET器件,属于RFG系列的高频功率场效应晶体管。该器件专为高频率、高效率的射频(RF)功率放大应用而设计,广泛应用于无线通信、基站设备、工业加热、射频测试设备以及医疗射频系统等领域。RFG50P05E 采用了先进的高电子迁移率晶体管(HEMT)结构,能够在50MHz至100MHz的频率范围内提供出色的性能表现。
类型:N沟道MOSFET
最大漏极电流(ID):50A
漏源电压(VDS):65V
栅源电压(VGS):±20V
工作频率范围:50MHz - 100MHz
输出功率:典型值为50W
增益:典型值22dB
效率:典型值70%
封装形式:气密封陶瓷封装
工作温度范围:-55°C至+150°C
RFG50P05E 在设计上具有多项显著特性,适用于高要求的射频功率放大场合。首先,它采用了瑞萨先进的HEMT工艺,具有高电子迁移率,从而实现高频段下的高效能表现。该器件的漏源电压为65V,支持在较高电压下稳定运行,适用于多种射频功率放大电路。其高输出功率(典型值50W)和高增益(典型值22dB)特性,使其在中功率射频应用中具有良好的信号放大能力。
此外,RFG50P05E 在效率方面表现出色,典型效率达到70%以上,有助于降低系统功耗并减少散热需求。该器件的封装形式采用气密封陶瓷封装,具备良好的热稳定性和机械强度,适合在高温、高振动等恶劣环境下使用。其宽工作温度范围(-55°C至+150°C)也使其适用于各种工业和军事应用场景。
在栅极保护方面,RFG50P05E 支持±20V的栅源电压,具有较强的抗过压能力,降低了因静电或瞬态电压造成的损坏风险。其在50MHz至100MHz频段内优化的S参数和匹配网络设计,使用户在设计射频放大器时能够更方便地进行阻抗匹配,从而提高系统整体性能。
RFG50P05E 主要应用于需要高效率、高稳定性的射频功率放大器设计中。典型应用包括无线通信基站、广播发射设备、射频测试与测量仪器、工业加热设备以及医疗射频治疗系统等。在无线通信系统中,它可以作为中间级或末级射频功率放大器,用于放大射频信号以满足发射功率要求。在测试设备中,该器件可以用于构建高精度、高稳定性的射频信号源。
由于其在50MHz至100MHz频段内的优异性能,RFG50P05E 还常用于广播发射器中的AM/FM射频放大模块。在工业应用中,例如等离子体发生器、感应加热系统等,该器件也可作为射频能量输出的核心元件。
此外,RFG50P05E 的高可靠性设计使其在军事和航空航天领域也具有广泛的应用潜力,如雷达系统、战术通信设备和卫星通信终端等。
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