ILX181K 时间：2025/8/18 15:24:38 阅读：21

ILX181K 是一款由 Vishay Semiconductors 生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于电源管理、开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器以及电机控制等高功率应用中。该器件采用 TO-220 封装，具有较低的导通电阻（Rds(on)）和较高的电流承载能力，适用于需要高效率和高可靠性的设计。

参数

类型：N 沟道 MOSFET
　　漏源电压（Vds）：500V
　　栅源电压（Vgs）：±30V
　　漏极连续电流（Id）：8A
　　导通电阻 Rds(on)：典型值 0.45Ω
　　功率耗散（Ptot）：75W
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：TO-220

特性

ILX181K 的主要优势在于其优异的导通性能和热稳定性，其低 Rds(on) 特性可显著降低导通损耗，提高系统效率。此外，该器件具有良好的雪崩能量承受能力，能够在高电压开关过程中提供更高的可靠性。
　　ILX181K 还具有快速开关特性，适用于高频开关电源应用，能够有效减少开关损耗。其 TO-220 封装形式便于散热，适合高功率密度设计。该 MOSFET 内部结构优化，具备较强的抗过载能力，适用于各种工业和消费类电子产品中的电源系统。
　　此外，该器件的栅极驱动电压范围较宽，通常在 10V 至 20V 之间，能够确保稳定导通。同时，其较高的短路耐受能力使其在电机控制、逆变器等高动态负载应用中表现出色。

应用

ILX181K 常用于开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、LED 驱动器、电池充电器、电机控制器、逆变器、不间断电源（UPS）以及工业自动化设备中的功率控制模块。由于其良好的导通性能和耐压能力，该器件也适用于高电压输入条件下的功率转换系统，例如 220V AC 输入的电源适配器或工业电源模块。