RFDA0015SR 是一款由 Renesas Electronics 生产的射频(RF)放大器芯片,属于 RF 功率放大器类别。该器件专为高性能射频系统设计,广泛应用于无线基础设施、基站、通信设备等领域。RFDA0015SR 采用先进的 GaN(氮化镓)工艺制造,提供高增益、高线性度和高效率的特性,适用于多种高频通信系统。
工作频率范围:1.8 GHz - 2.7 GHz
输出功率:15W(典型值)
增益:28 dB(典型值)
效率:40%(典型值)
电源电压:28V
封装类型:表面贴装(SMT),Hittite HMC 标准封装
工作温度范围:-40°C 至 +85°C
输入/输出阻抗:50Ω
RFDA0015SR 是一款基于 GaN 技术的高线性度射频功率放大器。它在 1.8 GHz 到 2.7 GHz 的宽频率范围内提供稳定的性能,适用于 LTE、W-CDMA 和其他 4G/5G 通信标准。该放大器具有高增益(典型值为 28 dB)和高输出功率(15W),同时保持良好的能效(典型效率为 40%),适用于对功耗敏感的系统。
其采用的 GaN 工艺使其具备出色的热稳定性和耐用性,能够在高温环境下可靠运行。RFDA0015SR 通常用于多载波通信系统、微波链路、无线基站和测试设备中,提供稳定的信号放大功能。此外,该器件具有良好的输入/输出驻波比(VSWR)匹配性能,有助于减少系统中的信号反射,提高整体系统的稳定性。
该放大器采用表面贴装封装,便于自动化生产和 PCB 集成,同时也符合 RoHS 环保标准。Renesas 提供了完整的技术文档和评估套件,方便工程师进行设计和测试。
RFDA0015SR 主要应用于以下领域:
无线通信基础设施,如 4G/5G 基站和 LTE 系统;
多载波射频放大系统;
测试和测量设备;
微波通信链路;
工业自动化和远程监控系统;
高可靠性射频放大器模块。
HMC8205BF1B, RFPA0015SR, RFDA0020SR