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W632GG6NB-15 发布时间 时间:2025/8/20 16:30:04 查看 阅读:22

W632GG6NB-15 是一款由 Winbond 公司生产的动态随机存取存储器(DRAM)芯片,属于 EDO(扩展数据输出)DRAM 类型。该芯片具有 256K x 32 的组织结构,总容量为 8MB,工作电压为 3.3V,适用于需要中等容量存储器的嵌入式系统、工业控制设备和消费类电子产品。该芯片采用 50 引脚 TSOP(薄型小外形封装)封装形式,适合在空间受限的应用中使用。W632GG6NB-15 以其高可靠性和稳定性著称,广泛用于需要快速数据访问的场景。

参数

容量:8MB
  组织结构:256K x 32
  工作电压:3.3V
  访问时间:15ns
  封装类型:TSOP
  引脚数:50
  接口类型:EDO DRAM
  工作温度范围:工业级(-40°C 至 +85°C)

特性

W632GG6NB-15 是一种 EDO DRAM,与传统的 FPM DRAM 相比,EDO DRAM 在数据传输效率上有显著提升。它能够在前一个数据读取尚未完成时就开始下一个数据的准备过程,从而减少了等待时间,提高了存储器的访问速度。此外,W632GG6NB-15 的 15ns 访问时间使其适用于需要快速响应的应用场景,如图像处理、高速缓存和实时控制。该芯片的低功耗设计和稳定的性能使其在多种工业和消费类电子设备中得到了广泛应用。
  在可靠性方面,W632GG6NB-15 采用了先进的 CMOS 工艺制造,确保了在各种工作环境下的稳定性和耐用性。其工业级温度范围(-40°C 至 +85°C)使其能够在恶劣的工业环境中正常运行。此外,该芯片的 TSOP 封装形式不仅减小了物理尺寸,还提高了散热性能,进一步增强了其在高密度 PCB 设计中的适用性。

应用

W632GG6NB-15 主要用于需要中等容量、高速存储器的嵌入式系统和工业设备。常见的应用包括工业控制系统的缓存存储器、嵌入式多媒体设备的图像缓冲区、网络设备的数据缓冲器、测试与测量仪器的临时存储器以及消费类电子产品中的存储扩展模块。由于其 EDO 接口和高速访问特性,W632GG6NB-15 特别适合用于需要频繁数据读取和写入的应用场景。

替代型号

W632GG6NB-15 可以被以下型号替代:W632GG6EB-15(相同容量和封装,但可能为不同的生产批次或版本),或者考虑使用容量相近的其他厂商 EDO DRAM 芯片,如 ISSI 的 IS42S16400J-6T 或 Cypress 的 CY7C1041CV33。

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W632GG6NB-15参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格198 : ¥37.19510托盘
  • 系列-
  • 包装托盘
  • 产品状态在售
  • 存储器类型易失
  • 存储器格式DRAM
  • 技术SDRAM - DDR3
  • 存储容量2Gb
  • 存储器组织128M x 16
  • 存储器接口并联
  • 时钟频率667 MHz
  • 写周期时间 - 字,页15ns
  • 访问时间20 ns
  • 电压 - 供电1.425V ~ 1.575V
  • 工作温度0°C ~ 95°C(TC)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳96-VFBGA
  • 供应商器件封装96-VFBGA(7.5x13)