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RFD4N06LSM9A 发布时间 时间:2025/8/2 7:03:02 查看 阅读:25

RFD4N06LSM9A 是一款由瑞萨电子(Renesas Electronics)生产的N沟道MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要用于电源管理和功率开关应用。这款MOSFET专为高效率和低导通电阻而设计,适用于汽车电子、工业控制和消费类电子产品中的功率转换和管理电路。

参数

类型:N沟道MOSFET
  漏源电压(Vds):60V
  栅源电压(Vgs):±20V
  连续漏极电流(Id):140mA(@25°C)
  导通电阻(Rds(on)):最大3.5Ω(@Vgs=10V)
  功率耗散(Pd):300mW
  工作温度范围:-55°C至150°C
  封装类型:SOT-23-5

特性

RFD4N06LSM9A 的主要特性是其低导通电阻,这使得它在导通状态下能够减少功率损耗并提高系统效率。此外,该器件具有较高的耐压能力,漏源电压可达60V,适用于中高功率应用。其SOT-23-5封装形式提供了良好的热管理和空间节省,适合在高密度PCB布局中使用。
  该MOSFET还具备良好的温度稳定性,能够在较宽的温度范围内正常工作,适用于恶劣的工业和汽车环境。栅极驱动电压范围较宽,支持常见的10V或更高的驱动电压,确保器件在高频开关应用中的稳定运行。
  此外,RFD4N06LSM9A采用了先进的硅技术,具有快速开关能力和较低的输入电容,有助于减少开关损耗,并提高系统的整体响应速度。这使得它非常适合用于DC-DC转换器、负载开关、电机控制以及电池管理系统等应用。

应用

RFD4N06LSM9A 主要应用于需要高效功率管理的场合。在汽车电子领域,它可用于车身控制模块、LED照明驱动、车载充电器和电池管理系统等。在工业自动化中,该器件常用于PLC(可编程逻辑控制器)、工业传感器和电机控制电路。
  此外,RFD4N06LSM9A 也适用于消费类电子产品,如智能手机、平板电脑和智能穿戴设备中的电源管理电路,帮助实现更长的电池续航和更高的系统效率。在电源适配器、USB充电器和其他小型电源设备中,它也广泛用于实现紧凑高效的功率转换方案。
  由于其良好的热性能和小型封装,RFD4N06LSM9A也常用于需要空间优化和散热性能的便携式设备中,作为负载开关或低边开关使用。

替代型号

RFD3N06LESM, RFD5N06LESM, 2N7002K, BSS138

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RFD4N06LSM9A参数

  • 标准包装2,500
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列-
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)60V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C4A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C600 毫欧 @ 1A,5V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)2.5V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs8nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds-
  • 功率 - 最大30W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
  • 供应商设备封装D-Pak
  • 包装带卷 (TR)