时间：2025/8/23 14:44:11
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SKM195GAL063DN是一款由SEMIKRON（赛米控）公司生产的IGBT模块，专为高功率应用设计。该模块集成了IGBT（绝缘栅双极晶体管）和反并联二极管，广泛用于工业电机驱动、逆变器、电力电子系统等领域。模块采用紧凑型封装，具有良好的热管理和电气性能。
类型：IGBT模块
额定集电极电流（IC）：195A
额定集电极-发射极电压（VCES）：600V
导通压降（VCEsat）：约1.55V（典型值）
最大工作温度：150℃
封装类型：双列直插式封装（DIP）
安装方式：底座安装
绝缘类型：增强型绝缘
SKM195GAL063DN具有多个关键特性，确保其在高功率环境中的可靠运行。首先，模块内部采用先进的IGBT芯片技术，降低了导通损耗和开关损耗，提高了整体效率。其次，模块内部集成有反并联二极管，适用于需要快速恢复的电路拓扑结构。此外，模块的封装设计优化了热传导路径，提高了散热性能，适合高功率密度应用。模块的封装材料符合RoHS标准，支持环保应用。其高绝缘等级（工作绝缘电压达AC 1500V）确保了在恶劣电气环境中的安全性。模块还具有良好的短路耐受能力，增强了系统的稳定性。
SKM195GAL063DN广泛应用于工业电机驱动器、变频器、UPS不间断电源、电焊机、太阳能逆变器和电动汽车充电系统等高功率电子设备中。在这些应用中，该模块可提供高效的功率转换和稳定的电气性能。
SKM200GAL063D、SKM150GB063D
