SKM195GAL063DN是一款由SEMIKRON(赛米控)公司生产的IGBT模块,专为高功率应用设计。该模块集成了IGBT(绝缘栅双极晶体管)和反并联二极管,广泛用于工业电机驱动、逆变器、电力电子系统等领域。模块采用紧凑型封装,具有良好的热管理和电气性能。
类型:IGBT模块
额定集电极电流(IC):195A
额定集电极-发射极电压(VCES):600V
导通压降(VCEsat):约1.55V(典型值)
最大工作温度:150℃
封装类型:双列直插式封装(DIP)
安装方式:底座安装
绝缘类型:增强型绝缘
SKM195GAL063DN具有多个关键特性,确保其在高功率环境中的可靠运行。首先,模块内部采用先进的IGBT芯片技术,降低了导通损耗和开关损耗,提高了整体效率。其次,模块内部集成有反并联二极管,适用于需要快速恢复的电路拓扑结构。此外,模块的封装设计优化了热传导路径,提高了散热性能,适合高功率密度应用。模块的封装材料符合RoHS标准,支持环保应用。其高绝缘等级(工作绝缘电压达AC 1500V)确保了在恶劣电气环境中的安全性。模块还具有良好的短路耐受能力,增强了系统的稳定性。
SKM195GAL063DN广泛应用于工业电机驱动器、变频器、UPS不间断电源、电焊机、太阳能逆变器和电动汽车充电系统等高功率电子设备中。在这些应用中,该模块可提供高效的功率转换和稳定的电气性能。
SKM200GAL063D、SKM150GB063D