时间：2025/5/23 7:03:47
阅读：19
PL100N04 是一款 N 沒尔场效应晶体管（MOSFET），属于功率半导体器件，广泛应用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器等领域。该器件采用了先进的制造工艺，具有较低的导通电阻和较高的开关速度，从而提升了整体效率并减少了能量损耗。
PL100N04 的设计使其能够在高频率和高电流的应用场景中表现出色，同时具备出色的热稳定性和可靠性。
型号：PL100N04
类型：N-channel MOSFET
Vds（漏源电压）：40V
Rds(on)（导通电阻）：8mΩ（典型值，25°C）
Id（持续漏极电流）：100A
Pd（总功耗）：150W
Vgs(th)（栅极开启电压）：2.1V~4.0V
输入电荷：27nC
工作温度范围：-55°C ~ +175°C
PL100N04 具有以下主要特性：
1. 极低的导通电阻，有助于降低传导损耗并提升系统效率。
2. 高电流处理能力，适合大功率应用场景。
3. 快速开关性能，适用于高频操作环境。
4. 热稳定性良好，能够在极端温度条件下正常运行。
5. 符合 RoHS 标准，环保且安全。
6. 封装形式紧凑，节省 PCB 空间，便于设计集成。
7. 提供优异的雪崩能力和 ESD 保护，增强了器件的鲁棒性。
PL100N04 可应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的主开关或同步整流器。
2. 电动车辆和工业设备中的电机驱动电路。
3. DC-DC 转换器中的功率开关。
4. LED 照明系统的恒流驱动。
5. 太阳能逆变器和其他可再生能源相关设备。
6. 各类电池充电管理模块。
7. 继电器替代方案以及负载切换控制。
IRFZ44N
STP100N06L
FDP150N06S
IXTH110N06P3
AO3400
