RFD15P06SM 时间：2025/12/29 13:43:36 阅读：25

RFD15P06SM 是一款由安森美半导体（ON Semiconductor）推出的N沟道增强型功率MOSFET。该器件采用先进的Trench沟槽工艺，具备低导通电阻（RDS(on)）和高电流承载能力，适用于高效率电源转换和功率管理应用。该MOSFET采用DPAK（TO-252）封装，适合表面贴装，广泛用于DC-DC转换器、负载开关、电池充电器和电机控制等场合。

参数

类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏源电压(VDS)：60V
　　最大栅源电压(VGS)：±20V
　　最大连续漏极电流(ID)：15A @ TC=25°C
　　导通电阻(RDS(on))：45mΩ @ VGS=10V
　　导通阈值电压(VGS(th))：2.0V ~ 4.0V
　　最大功耗(PD)：60W
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C
　　封装类型：DPAK（TO-252）

特性

RFD15P06SM 采用先进的Trench沟槽技术，实现了极低的导通电阻（RDS(on)）和优异的开关性能，有助于降低导通损耗并提高系统效率。
　　该器件具备高电流承载能力和良好的热稳定性，可在高负载条件下稳定工作。
　　其栅极设计支持快速开关操作，减少了开关损耗，适用于高频开关应用。
　　此外，RFD15P06SM具有良好的抗雪崩能力，增强了器件在瞬态负载条件下的可靠性。
　　该MOSFET采用DPAK封装，具有良好的散热性能，适合表面贴装工艺，降低了生产成本和空间占用。

应用

RFD15P06SM 常用于各类功率电子设备中，包括DC-DC降压/升压转换器、同步整流器、负载开关、电池管理系统（BMS）、电机驱动电路、电源管理模块以及汽车电子系统。
　　由于其高效率和紧凑封装，该器件特别适用于空间受限的便携式设备和高密度电源设计。
　　在工业自动化、通信电源、LED驱动器和消费类电子产品中也有广泛应用。