您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > AO3480

AO3480 发布时间 时间:2025/8/2 7:23:30 查看 阅读:20

AO3480是一款由Alpha & Omega Semiconductor制造的N沟道增强型功率MOSFET,采用先进的Trench沟槽技术制造,具有出色的性能和可靠性。这款MOSFET广泛应用于电源管理和DC-DC转换器等领域,因其高效率和低导通电阻而受到青睐。AO3480采用SOT-23封装,适合用于空间受限的应用。

参数

类型:N沟道
  漏源电压(VDS):30V
  栅源电压(VGS):20V
  连续漏极电流(ID):4.1A
  导通电阻(RDS(on)):45mΩ(典型值,VGS=10V)
  导通阈值电压(VGS(th)):1.2V至2.5V
  工作温度范围:-55°C至150°C
  封装类型:SOT-23

特性

AO3480具有低导通电阻,能够在高电流应用中减少功率损耗并提高效率。其导通电阻在VGS=10V时仅为45mΩ,这使得该器件在高功率应用中表现出色。
  此外,AO3480采用先进的Trench沟槽技术,使得器件在导通状态下的电压降更小,从而提高了整体的能效。
  其栅极驱动电压范围宽广,支持1.2V至2.5V的阈值电压,使其能够与多种控制电路兼容。
  AO3480的封装形式为SOT-23,这种小型封装适合用于需要紧凑布局的电路设计,并且具有良好的热性能,能够在高温环境下稳定工作。

应用

AO3480广泛应用于电源管理系统、DC-DC转换器、负载开关、电池管理系统以及电机驱动电路中。由于其高效率和小尺寸,它特别适合用于便携式电子设备和汽车电子系统中的功率控制应用。

替代型号

Si2302DS, FDS6680, AO3400

AO3480推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

AO3480参数

  • 现有数量0现货
  • 价格停产
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态停产
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)30 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)5.7A(Ta)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)2.5V,10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)26.5 毫欧 @ 5.7A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)1.45V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)10 nC @ 4.5 V
  • Vgs(最大值)±12V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)630 pF @ 15 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)1.4W(Ta)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装SOT-23-3
  • 封装/外壳3-SMD,SOT-23-3 变式