AO3480是一款由Alpha & Omega Semiconductor制造的N沟道增强型功率MOSFET,采用先进的Trench沟槽技术制造,具有出色的性能和可靠性。这款MOSFET广泛应用于电源管理和DC-DC转换器等领域,因其高效率和低导通电阻而受到青睐。AO3480采用SOT-23封装,适合用于空间受限的应用。
类型:N沟道
漏源电压(VDS):30V
栅源电压(VGS):20V
连续漏极电流(ID):4.1A
导通电阻(RDS(on)):45mΩ(典型值,VGS=10V)
导通阈值电压(VGS(th)):1.2V至2.5V
工作温度范围:-55°C至150°C
封装类型:SOT-23
AO3480具有低导通电阻,能够在高电流应用中减少功率损耗并提高效率。其导通电阻在VGS=10V时仅为45mΩ,这使得该器件在高功率应用中表现出色。
此外,AO3480采用先进的Trench沟槽技术,使得器件在导通状态下的电压降更小,从而提高了整体的能效。
其栅极驱动电压范围宽广,支持1.2V至2.5V的阈值电压,使其能够与多种控制电路兼容。
AO3480的封装形式为SOT-23,这种小型封装适合用于需要紧凑布局的电路设计,并且具有良好的热性能,能够在高温环境下稳定工作。
AO3480广泛应用于电源管理系统、DC-DC转换器、负载开关、电池管理系统以及电机驱动电路中。由于其高效率和小尺寸,它特别适合用于便携式电子设备和汽车电子系统中的功率控制应用。
Si2302DS, FDS6680, AO3400