型号：K4T51163QQ-BCE7000
　　制造商：Samsung
　　存储类型：LPDDR2 SDRAM
　　总容量：1Gb (128MB)
　　组织结构：64M x16
　　电源电压：1.8V ±0.1V (VDD/VDDQ)
　　I/O电压：1.8V ±0.1V
　　最大时钟频率：350MHz
　　数据速率：700Mbps (DDR)
　　访问时间：约2.86ns (在350MHz下)
　　封装类型：FBGA, 90-ball
　　封装尺寸：6mm x 12mm x 0.9mm (典型)
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　刷新模式：自动/自刷新
　　掉电模式：支持
　　时钟频率范围：DC 至 350MHz
　　输入/输出逻辑：SSTL_18

K4T51163QQ-BCE7000 具备多项先进特性，使其成为移动设备中理想的内存解决方案。首先，该芯片采用低电压设计，核心供电与I/O电压均为1.8V，相较于传统DDR2的2.5V或3.3V显著降低了功耗，尤其适用于电池供电的便携式设备。其内部架构基于双倍数据速率技术，在时钟的上升沿和下降沿均传输数据，从而在不提高时钟频率的前提下实现带宽翻倍。该器件支持多种节能模式，包括自动刷新、自刷新（Self-Refresh）、部分阵列自刷新（PASR）以及完全掉电模式（Deep Power-Down Mode），可在系统空闲或待机状态下大幅减少动态和静态功耗。例如，在自刷新模式下，内存控制器可将所有外部时钟置为无效状态，芯片内部维持刷新操作以保存数据，同时将电流消耗降至最低。此外，K4T51163QQ-BCE7000 支持可编程CAS延迟（CL）、突发长度（BL）和突发类型（顺序或交错），允许系统根据实际性能需求进行优化配置，提升整体运行效率。
　　其次，该芯片具备优异的信号完整性和抗干扰能力，采用差分时钟输入（CK/!CK）来增强时序稳定性，并通过片上终端电阻（On-Die Termination, ODT）技术减少高速信号反射，确保在高频工作下的可靠数据传输。其64M x16的组织结构提供了16位宽的数据接口，适合连接应用处理器、多媒体引擎等需要中等带宽的数据处理单元。FBGA-90封装不仅体积小巧，有利于节省PCB空间，还具备良好的散热性能和机械强度，适应复杂的多层板焊接工艺。另外，K4T51163QQ-BCE7000 符合RoHS环保标准，不含铅和其他有害物质，适用于全球范围内的电子产品制造。虽然该型号属于LPDDR2时代的产品，但其成熟的设计、稳定的供货记录以及广泛的兼容性使其在工业控制、医疗设备、车载信息终端等长生命周期应用中仍然具有一定的市场价值。

K4T51163QQ-BCE7000 主要应用于对功耗敏感且需要适度内存带宽的嵌入式与移动计算平台。典型应用包括早期至中期的智能手机和平板电脑，这些设备中的应用处理器通常集成LPDDR2内存控制器，能够直接驱动此类颗粒完成操作系统运行、应用程序加载及图形渲染等任务。此外，它也被广泛用于便携式导航设备（PND）、智能手表原型、工业人机界面（HMI）、POS终端、物联网网关以及各类基于ARM架构的开发板（如某些TI OMAP或NVIDIA Tegra平台）。在消费类电子产品中，该芯片可用于高清视频播放器、电子书阅读器、数字相框等设备，为其提供足够的运行内存支持。在工业自动化领域，K4T51163QQ-BCE7000 可作为PLC控制器、远程IO模块或机器视觉系统的缓存存储单元，协助主控芯片处理实时数据流。由于其支持宽温工作范围（-40°C 至 +85°C），因此也适用于恶劣环境下的户外设备或车载电子系统，如行车记录仪、车载娱乐主机等。此外，在一些需要长期稳定供货的项目中，该型号因其停产前的大规模生产和库存积累，仍可作为替代方案用于维修替换或小批量生产。随着技术演进，虽然新型设备更多采用LPDDR3及以上标准，但在成本敏感型或功能相对固定的设备中，K4T51163QQ-BCE7000 依然具备实用价值。