时间：2025/12/29 15:09:41
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RFD15N06LE 是一款由瑞萨电子（Renesas Electronics）推出的N沟道增强型功率MOSFET，广泛应用于电源管理和功率转换电路中。该器件采用高性能的沟槽式MOSFET技术，具有低导通电阻（Rds(on)）和高功率密度，适用于DC-DC转换器、负载开关、电池管理系统（BMS）等高效率功率应用。
类型：N沟道
最大漏源电压(Vds)：60V
最大漏极电流(Id)：15A（在25°C）
导通电阻(Rds(on))：最大55mΩ @ Vgs=10V
栅极阈值电压(Vgs(th))：1V ~ 2.5V
最大功耗(Pd)：50W
封装形式：TO-252（DPAK）
RFD15N06LE MOSFET具备多项优异特性，首先，其低导通电阻显著降低了导通状态下的功率损耗，提高了整体系统效率。其次，该器件采用了先进的沟槽式结构设计，增强了电流处理能力和热稳定性，从而提升了器件的可靠性和耐用性。
此外，RFD15N06LE采用TO-252（DPAK）封装形式，这种封装不仅体积小巧，而且具备良好的散热性能，适合在高密度PCB布局中使用。其栅极驱动电压范围较宽，兼容标准逻辑电平驱动，使得其在各种控制电路中都能轻松集成。
该MOSFET还具备良好的雪崩能量耐受能力，能够在高应力开关条件下提供额外的安全保障。同时，其快速开关特性有助于减少开关损耗，提高系统响应速度。这些特性使得RFD15N06LE非常适合用于高频开关电源、电机控制和电池供电设备等对效率和可靠性要求较高的应用场景。
RFD15N06LE主要应用于各类电源管理及功率控制电路中，例如DC-DC降压/升压转换器、同步整流器、负载开关、热插拔电路、电池管理系统（BMS）以及工业自动化设备中的功率开关模块。由于其具备良好的导通性能和较高的可靠性，该器件也常用于便携式电子产品、电动车控制系统和太阳能逆变器等高效率功率系统中。
Si4410BDY, IRFZ44N, FDPF15N06L
