类型：MOSFET输出光继电器
　　输入类型：红外LED
　　输出类型：单常开（NO）
　　最大负载电压（VDS）：40 V
　　连续通态电流（ID(on)）：520 mA
　　导通电阻（RON）：典型值 70 mΩ，最大值 100 mΩ
　　LED正向电流（IF）：最大 50 mA
　　LED反向电压（VR）：5 V
　　接通时间（tON）：0.2 ms
　　关断时间（tOFF）：0.2 ms
　　工作温度范围：-20°C 至 +85°C
　　存储温度范围：-40°C 至 +125°C
　　绝缘电压（输入-输出）：5000 Vrms（1分钟）
　　封装类型：USOP-4 或类似超小型四引脚表面贴装封装
　　安装方式：表面贴装（SMD）
　　包装形式：卷带（Tape and Reel, TR）

G3VM-401DY(TR)的核心优势在于其采用的MOSFET输出结构，这使得它在导通状态下表现出极低的导通电阻（RON），典型值仅为70毫欧姆，最大不超过100毫欧姆。这一特性显著降低了器件在导通时的功率损耗和温升，从而提高了系统的整体效率，并允许在有限的散热条件下承载相对较高的持续电流（最高520mA）。低RON还意味着在信号切换过程中引入的电压降极小，这对于精密模拟信号传输或低电压数字电路的完整性至关重要。此外，由于MOSFET是电压控制型器件，其驱动所需的电流极小，G3VM-401DY(TR)仅需一个低电流LED驱动信号（通常几毫安即可完全导通），即可实现对输出端大电流的控制，实现了极高的电流增益和能效比。
　　该器件的另一个关键特性是其出色的电气隔离能力。输入侧的LED与输出侧的MOSFET之间通过光信号进行耦合，提供了高达5000Vrms的绝缘耐压，确保了控制电路与负载电路之间的安全隔离，有效防止高压瞬变、噪声干扰和地环路问题对敏感控制端的影响。这种隔离特性使其非常适合用于医疗设备、工业控制系统以及任何要求功能安全的应用中。同时，由于没有机械触点，G3VM-401DY(TR)具有近乎无限的电气寿命，不受开关次数限制，且在开关过程中不会产生电弧、火花或电磁干扰（EMI），大大提升了系统的可靠性和电磁兼容性（EMC）性能。
　　在响应速度方面，G3VM-401DY(TR)表现出色，其开通时间和关断时间均仅为0.2毫秒，远快于传统的电磁继电器（通常为毫秒级甚至更长）。这一高速切换能力使其能够胜任高频信号切换、数据采集系统中的多路复用以及需要快速响应的自动测试设备（ATE）等应用。其超小型的USOP-4表面贴装封装不仅节省了宝贵的PCB空间，还便于实现自动化生产和回流焊工艺，提高了制造效率和产品一致性。器件的工作温度范围为-20°C至+85°C，满足大多数工业和商业环境的应用需求。

G3VM-401DY(TR)因其高可靠性、小尺寸和优异的电气性能，被广泛应用于多种电子系统中。在自动测试设备（ATE）和半导体测试仪中，它常被用作精密信号路径的开关，用于切换不同的测试通道或连接被测器件（DUT），其低导通电阻和高速响应确保了测试信号的准确性和测试效率。在数据采集系统（DAQ）和多路复用器（MUX）中，该器件可用于选择不同的传感器输入信号，实现对多个模拟或数字信号源的轮询采集，其高隔离度有效防止了通道间的串扰。
　　在工业自动化和过程控制领域，G3VM-401DY(TR)可用于PLC（可编程逻辑控制器）的I/O模块、小型执行器的驱动控制以及各类传感器信号的切换。其无触点设计和长寿命特性特别适合需要频繁操作和高可靠性的工业环境。在通信设备中，它可以用于信号路由、线路切换和电源管理单元，其低EMI特性有助于维持通信链路的稳定性。
　　此外，该器件也适用于医疗电子设备，如病人监护仪、诊断仪器等，其中对电气安全和信号完整性的要求极为严格。其5000Vrms的高隔离电压能够有效保护患者和操作人员的安全。在消费类电子产品和便携式设备中，当需要小型化、低功耗的开关解决方案时，G3VM-401DY(TR)也是一个理想的选择，例如在电池供电的设备中用于电源路径管理或功能模式切换。

G3VM-61EY(TR)
　　G3VM-402DY
　　TLP222A
　　AQY210EH