类型：LDMOS射频功率晶体管
　　最大漏极电压（VDS(max)）：250V
　　最大漏极电流（ID(max)）：0.3A
　　最大输出功率：13W
　　工作频率范围：DC至1GHz
　　增益：约20dB
　　封装形式：表面贴装（SOT-89）
　　热阻（Rth）：约60°C/W
　　工作温度范围：-55°C至+150°C

RF7413SQ采用Renesas先进的LDMOS工艺技术，具有出色的高频性能和稳定性。其主要特性包括：
　　1. **高功率增益**：RF7413SQ在1GHz以下频率范围内提供高达20dB的增益，适用于需要高增益放大的应用。
　　2. **宽频带操作**：支持从直流（DC）到1GHz的频率范围，使其适用于多种射频放大需求，包括无线通信和工业设备。
　　3. **高效率**：在典型应用中，RF7413SQ能够实现较高的功率附加效率（PAE），从而减少热量产生并提高系统可靠性。
　　4. **良好的热稳定性**：该器件具有良好的热管理和散热能力，能够在较高的工作温度下稳定运行，热阻约为60°C/W。
　　5. **小型化封装**：采用SOT-89封装，体积小且便于表面贴装，适用于高密度PCB设计。
　　6. **耐压能力强**：最大漏极电压为250V，允许在较宽的电源电压范围内工作，提高了设计的灵活性。

RF7413SQ广泛应用于以下领域：
　　1. **无线通信系统**：如基站、微波通信设备、无线接入点等，用于中功率射频放大器部分。
　　2. **测试与测量设备**：作为射频信号放大器，用于频谱分析仪、信号发生器等仪器中。
　　3. **工业控制和自动化**：用于工业射频加热、感应加热和等离子体生成设备中的功率放大模块。
　　4. **广播设备**：应用于调频（FM）和电视广播发射机中的中功率放大阶段。
　　5. **军事和航空航天**：在雷达、导航和通信系统中作为射频功率放大元件。

MRF6S20060SEL、MRF6S20060N、RF7411SQ、BLF177、CMX7133