JX2N6660是一款N沟道增强型功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛应用于电源管理和功率转换电路中。该器件采用先进的平面工艺技术制造,具有高耐压、低导通电阻、大电流承载能力等优点。JX2N6660通常用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动、电池管理系统等高功率应用场合。该器件采用TO-220或TO-263等标准封装形式,便于散热和安装。
类型:N沟道增强型MOSFET
漏源电压(VDS):200V
栅源电压(VGS):±30V
漏极电流(ID):10A(最大值)
导通电阻(RDS(on)):约0.45Ω(典型值,具体取决于VGS)
工作温度范围:-55℃至+150℃
封装形式:TO-220、TO-263
功耗(PD):83W(最大值)
栅极电荷(Qg):约40nC
输入电容(Ciss):约1100pF
JX2N6660具有多项优异的电气和物理特性,适用于高要求的功率电子应用。其主要特性包括:
1. **高耐压能力**:JX2N6660的漏源击穿电压(VBR(DSS))高达200V,能够承受较高的电压应力,适用于高压电源转换系统。
2. **低导通电阻**:在适当的栅极驱动电压下(如VGS = 10V),其导通电阻RDS(on)通常低于0.45Ω。这一特性有助于降低导通损耗,提高系统效率。
3. **高电流承载能力**:JX2N6660的最大连续漏极电流可达10A,适合用于中等功率的开关应用。
4. **良好的热性能**:该器件采用TO-220或TO-263封装,具有良好的散热性能,能够在高功率工作条件下保持较低的结温。
5. **高可靠性**:采用先进的平面工艺和高质量的封装材料,确保器件在恶劣环境下具有长寿命和稳定的性能。
6. **快速开关特性**:JX2N6660具有较快的开关速度,能够适应高频开关应用,减少开关损耗,提高系统效率。
7. **过热保护**:在正常工作条件下,JX2N6660具备一定的热稳定性,能够在高温环境下自动降低电流以保护器件不被损坏。
这些特性使得JX2N6660成为电源管理、马达控制、照明系统等领域的理想选择。
JX2N6660广泛应用于各类功率电子系统中,包括:
1. **开关电源(SMPS)**:用于AC-DC或DC-DC转换电路中,作为主开关器件,提高转换效率并减小电源体积。
2. **DC-DC转换器**:在升压、降压或反相转换电路中,作为高频开关元件,实现高效能量转换。
3. **马达驱动电路**:用于直流马达或步进马达的控制电路中,实现高效率的功率驱动。
4. **电池管理系统**:在电池充放电管理电路中,用于控制电池的充放电路径和防止反向电流流动。
5. **LED照明驱动**:用于LED恒流驱动电路中,提供稳定的电流输出并提高能效。
6. **逆变器和UPS系统**:在不间断电源(UPS)或太阳能逆变器中,作为功率开关器件,实现高效的电能转换。
7. **工业自动化控制**:用于PLC(可编程逻辑控制器)或工业控制设备中的高功率开关控制。
由于其高可靠性和优异的电气性能,JX2N6660也适用于汽车电子、消费类电子、通信设备等多个领域。
IRF640、FDPF6N60、STP10NK60Z、SiHP06N60ED、2SK2642