PSMN025-100D 时间：2025/5/30 19:00:43 阅读：26

PSMN025-100D是Nexperia公司生产的一款功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件采用逻辑电平驱动设计，属于P沟道增强型MOSFET。其主要应用领域包括负载开关、电源管理电路以及DC-DC转换器等场景。它具有较低的导通电阻和较高的电流承载能力，能够满足现代电子设备对高效能和小体积的需求。
　　PSMN025-100D采用了DPAK封装形式，这种封装具备良好的散热性能和电气特性，适合在高功率密度的应用中使用。

参数

类型：P通道增强型MOSFET
　　最大漏源电压(V_DS)：100V
　　最大连续漏极电流(I_D)：63A
　　导通电阻(R_DS(on))：2.5mΩ（典型值，在V_GS=-10V时）
　　栅极阈值电压(V_GS(th))：-2.4V至-4V
　　总功耗(P_TOT)：78W
　　工作结温范围(T_J)：-55℃至+175℃

特性

PSMN025-100D拥有非常低的导通电阻（R_DS(on)），这有助于减少传导损耗并提高系统效率。同时，它的逻辑电平驱动特性使得它可以与大多数微控制器或数字信号处理器直接接口，无需额外的驱动电路。
　　此外，该器件具备快速开关速度，从而减少了开关损耗，并且可以支持高频操作。由于采用了DPAK封装，这款MOSFET还能够有效散发热量，确保长期稳定运行。
　　为了进一步提升可靠性，PSMN025-100D在制造过程中经过严格的质量控制流程，符合RoHS标准并且具有抗静电保护功能。

应用

PSMN025-100D广泛应用于各种需要高效功率切换的场合，例如：
　　1. 负载开关：用于笔记本电脑、服务器和其他便携式电子产品中的电源管理。
　　2. 电机控制：适用于小型直流电机的启动、停止及速度调节。
　　3. 开关电源(SMPS)：作为主开关管或同步整流管。
　　4. DC-DC转换器：用作高端开关以实现降压或升压功能。
　　5. 电池保护电路：监控和限制过流情况，防止电池损坏。