时间：2025/7/23 13:47:22
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ST063EC是一款由意法半导体（STMicroelectronics）生产的功率MOSFET晶体管，主要用于电源管理和功率转换应用。该器件采用先进的制造工艺，具有较低的导通电阻和优异的开关性能，适用于多种工业和消费类电子设备。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压(Vds)：60V
最大漏极电流(Id)：120A
导通电阻(Rds(on))：3.2mΩ（典型值）
栅极电荷(Qg)：85nC
工作温度范围：-55°C至175°C
封装类型：TO-263（D2PAK）
ST063EC具有多项优越特性，使其在高功率应用中表现出色。首先，其低导通电阻（Rds(on)）有助于降低导通损耗，提高整体系统效率。其次，该MOSFET具备高电流处理能力，最大漏极电流可达120A，适用于大功率负载应用。
此外，ST063EC的栅极电荷（Qg）较低，确保了快速的开关性能，从而减少开关损耗，提高系统响应速度。该器件还具备良好的热稳定性，工作温度范围广泛，可在-55°C至175°C之间稳定工作，适应各种苛刻的环境条件。
在封装方面，ST063EC采用TO-263（D2PAK）封装，具有良好的散热性能，有助于在高功率操作时维持较低的结温。这种封装形式也便于安装和散热片连接，适合需要高效散热的设计方案。
ST063EC广泛应用于各类电力电子设备中，例如电源转换器、直流电机驱动、电池管理系统、太阳能逆变器以及电动汽车充电系统等。其高效率和可靠性使其成为工业自动化、通信电源、消费类电子产品和汽车电子等领域的理想选择。
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