频率范围：800 MHz - 2.7 GHz
　　输出功率：典型值 6 W（CW）
　　增益：典型值 14 dB（在2 GHz）
　　效率：典型值 60%
　　工作电压：28 V
　　封装类型：7引脚表面贴装（SMT）
　　热阻（RθJC）：约 1.5°C/W
　　输入/输出阻抗：50Ω
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C

RF6560E4TR7X 是一款采用 GaAs HBT 技术制造的高线性度、高效率射频功率晶体管，专为 800 MHz 至 2.7 GHz 频段的应用而设计。其主要特性之一是具备高功率密度和高可靠性，适用于高要求的无线通信基础设施。该器件在 2 GHz 下可提供 6 W 的连续波（CW）输出功率，并具有约 14 dB 的小信号增益，确保在多种工作条件下都能保持稳定的放大性能。
　　该晶体管的高效率特性（典型值 60%）有助于降低功耗和散热需求，从而提高系统的整体能效和稳定性。其封装设计具有良好的热管理能力，热阻（RθJC）仅为 1.5°C/W，使得热量可以有效地从结点传导至散热器，适用于长时间高功率运行的应用场景。
　　此外，RF6560E4TR7X 在设计上考虑了线性度和互调失真（IMD）的优化，使其适用于需要高信号完整性的通信系统，如 LTE、WCDMA 和 CDMA 基站。其输入和输出端口设计为 50Ω 阻抗匹配，便于与外围电路集成，减少外部匹配元件的需求。
　　该器件支持 -40°C 至 +85°C 的宽工作温度范围，确保在各种环境条件下都能稳定运行。其 7 引脚表面贴装封装形式不仅节省空间，还简化了 PCB 布局和自动化装配流程，适用于现代高密度射频电路板设计。

RF6560E4TR7X 主要用于无线通信基础设施中的射频功率放大器模块，适用于蜂窝基站、微波通信系统、无线本地环路（WLL）设备以及工业和商用射频测试设备。该器件在 LTE、WCDMA、CDMA 和 GSM 等多种通信标准中均有广泛应用，尤其适合需要高输出功率和良好线性度的基站发射机设计。此外，它也可用于射频加热、医疗射频设备和其他需要高功率射频放大的工业应用。

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