IRFH7004是英飞凌(Infineon)生产的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用了Trench技术,具有极低的导通电阻和优秀的开关性能,适用于高效率、高频开关应用。其封装形式为SO-8(D2PAK),广泛应用于计算机、消费电子、通信设备等领域。
最大 drain-source 电压:30V
连续 drain 电流:25A
导通电阻(典型值):3.5mΩ
栅极电荷(典型值):10nC
开关速度:快速
工作温度范围:-55℃至175℃
IRFH7004的主要特点是低导通电阻和高效率性能。
1. 具有非常低的导通电阻(Rds(on)),在特定条件下仅为3.5mΩ,能够有效降低功率损耗。
2. 栅极电荷较小,仅为10nC(典型值),这有助于提高开关速度并减少开关损耗。
3. 采用先进的Trench技术制造,确保了优异的热性能和电气性能。
4. 工作温度范围宽广(-55℃至175℃),适应多种严苛环境。
5. 符合RoHS标准,环保无铅设计。
这些特性使得IRFH7004非常适合于需要高效能和高可靠性的DC-DC转换器、负载开关、电机驱动等应用场合。
IRFH7004主要应用于以下领域:
1. DC-DC转换器和电源管理模块,在这些应用中,低导通电阻和快速开关能力能够显著提高整体效率。
2. 负载开关和电池保护电路,用于消费类电子产品,例如笔记本电脑、智能手机和平板电脑。
3. 电机驱动和逆变器,特别是在小型家用电器和工业自动化设备中。
4. 开关模式电源(SMPS)和不间断电源(UPS)系统。
其低功耗特性和紧凑型封装使其成为便携式和空间受限应用的理想选择。
IRLH6402, FDP5570, AO3400