类型：射频功率晶体管
　　工艺技术：LDMOS
　　工作频率范围：2 GHz至2.7 GHz
　　最大输出功率：125 W（典型值）
　　增益：22 dB（典型值）
　　漏极效率：40%（典型值）
　　工作电压：28 V
　　封装形式：TO-247
　　输入驻波比（VSWR）：2.5:1（最大值）

RF6280SR 的核心特性之一是其基于LDMOS技术的设计，这种技术在高频应用中表现出色，具有较高的线性度和稳定性。LDMOS晶体管的导通电阻较低，能够有效减少功率损耗，提高整体效率。此外，该器件具有良好的热管理能力，能够在高功率条件下保持稳定运行，减少因过热而导致的性能下降或器件损坏。
　　另一个重要特性是其宽频带设计，RF6280SR 的工作频率范围覆盖2 GHz至2.7 GHz，使其适用于多种无线通信标准，如WiMAX、LTE和5G预部署系统。这种频率灵活性也使得它在多频段通信系统中表现出色。
　　该器件的最大输出功率为125 W，增益达到22 dB，漏极效率为40%左右，能够在较高的工作电压（28 V）下稳定运行。这些参数表明，RF6280SR 在高功率放大应用中具有出色的性能，能够提供较大的信号放大倍数，同时保持较低的失真。
　　RF6280SR 的封装形式采用TO-247，这种封装方式具有良好的散热性能和机械稳定性，适合在高温环境下使用。此外，TO-247封装便于安装和维护，适用于工业级和通信设备的应用场景。

RF6280SR 主要用于需要高功率放大的射频系统，尤其是在通信基础设施中，如基站、无线接入点和卫星通信系统。其高增益和高效率特性使其成为WiMAX、LTE和5G通信系统中功率放大器的理想选择。此外，该器件也适用于雷达系统、工业加热设备、医疗射频设备以及测试和测量仪器等需要高功率射频输出的应用场景。
　　在无线通信领域，RF6280SR 可用于构建高线性度的功率放大器，满足现代通信系统对高数据速率和低误码率的要求。其宽频带特性使其适用于多频段操作，能够适应不同的通信标准和频段要求。在雷达系统中，该器件可用于发射端的高功率放大，提升雷达探测距离和精度。在工业设备中，RF6280SR 可用于射频能量传输和材料处理，如等离子体生成和射频加热等应用。

NXP的BLF881、STMicroelectronics的STAC2910、Cree的CGH40120