WH1S030WA1-E6000 时间：2025/4/28 14:20:23 阅读：3

WH1S030WA1-E6000是一款高性能的功率MOSFET芯片，广泛应用于开关电源、电机驱动、逆变器等场景。该器件采用先进的制造工艺，具备低导通电阻和快速开关速度的特点，能够显著提高系统的效率和稳定性。
　　该型号属于Wolfspeed（原Cree）公司的碳化硅系列产品，其设计旨在满足高电压、大电流应用的需求，同时减少系统体积和重量。

参数

类型：MOSFET
　　材料：碳化硅(SiC)
　　Vds（漏源极击穿电压）：1200V
　　Rds(on)（导通电阻）：30mΩ
　　Id（连续漏极电流）：30A
　　Qg（总栅极C
　　Eoss（输出电容能量损耗）：1.2μJ
　　Ciss（输入电容）：1800pF
　　封装形式：TO-247-4L

特性

WH1S030WA1-E6000的主要特性包括：
　　1. 高击穿电压1200V，适用于高压环境下的电力电子设备。
　　2. 极低的导通电阻仅为30mΩ，在高电流条件下可有效降低功耗。
　　3. 快速开关性能，开关频率支持高达100kHz以上，适合高频应用场景。
　　4. 总栅极电荷小，驱动损耗低，简化了驱动电路设计。
　　5. 碳化硅材料的使用使其具备优异的热稳定性和高温工作能力，最高结温可达175°C。
　　6. 四引脚TO-247封装提供独立的 Kelvin Source 引脚，有助于降低栅极回路的寄生电感，从而进一步提升开关性能。
　　7. 具备出色的可靠性和抗电磁干扰能力，确保在复杂工况下长期稳定运行。

应用

该器件广泛应用于以下领域：
　　1. 工业级开关电源（SMPS），如服务器电源、通信电源。
　　2. 新能源汽车中的DC/DC转换器和车载充电机（OBC）。
　　3. 光伏逆变器和风能转换系统。
　　4. 高效电机驱动器和伺服控制系统。
　　5. UPS不间断电源和其他需要高效率、高功率密度的电力电子设备。