类型：射频晶体管
　　制造商：Renesas Electronics
　　晶体管类型：NPN 双极性晶体管（BJT）
　　频率范围：最高可达1 GHz
　　最大集电极电流（Ic）：500 mA
　　最大集电极-发射极电压（Vce）：30 V
　　最大功耗（Ptot）：1.5 W
　　增益（hFE）：典型值为80 @ 100 MHz, Ic=20 mA
　　噪声系数：典型值为1.5 dB @ 1 GHz
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：PCK（表面贴装）

RF5611PCK-410具有多个关键特性，使其在高频应用中表现出色。首先，它在高达1 GHz的频率范围内提供了出色的增益和稳定性，适合用于低噪声放大器（LNA）和驱动放大器。其次，该器件的噪声系数较低，在1 GHz频率下典型值为1.5 dB，使其成为需要高信号完整性的接收器前端的理想选择。此外，RF5611PCK-410具备良好的线性度和失真性能，适用于需要高保真信号放大的应用，如测试设备和广播发射机。
　　该晶体管的PCK封装不仅提供了良好的散热能力，还减少了寄生电感，从而提高了高频响应。它的工作温度范围宽，从-55°C到+150°C，确保了在各种环境条件下的可靠性。此外，RF5611PCK-410的高可靠性设计使其适用于工业和军事级应用。其表面贴装封装（SMD）设计也便于自动化装配和紧凑型电路板布局。

RF5611PCK-410广泛应用于多种射频系统和模块中，包括无线基础设施（如基站和中继器）、广播设备（如FM和TV发射机）、雷达系统、航空电子设备以及高频测试和测量仪器。由于其低噪声和高增益特性，它常用于低噪声放大器（LNA）设计，以增强接收器的灵敏度。此外，该器件也适用于驱动放大器和中功率放大器级，用于无线通信系统中的信号传输部分。其高可靠性和宽工作温度范围也使其适用于军事和航空航天应用。

RF5611PCK-410的替代型号包括RF5610PCK-410（频率范围和封装相似，适用于类似应用）、2N5179（高性能NPN晶体管，适用于高频放大器）以及BFQ59（低成本NPN晶体管，适用于通用射频应用）。