2SK3687 时间：2025/8/9 19:21:57 阅读：34

2SK3687是一款由东芝（Toshiba）生产的N沟道功率MOSFET晶体管，广泛用于高频率开关电源、DC-DC转换器和功率放大器等应用。这款MOSFET具备低导通电阻（Rds(on)）特性，能够在高频率下稳定运行，同时减少功率损耗。2SK3687采用小型表面贴装封装（SOP），适合高密度电路板设计，并具备良好的热稳定性和可靠性。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏极电流（ID）：4A
　　漏极-源极击穿电压（VDS）：60V
　　栅极-源极电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（Rds(on)）：0.055Ω（最大）
　　功率耗散（PD）：2W
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：SOP-8

特性

2SK3687具有多个关键特性，使其在功率电子设计中非常受欢迎。首先，它的低导通电阻（Rds(on)）能够有效降低导通损耗，提高电源转换效率。其次，该MOSFET支持高达4A的连续漏极电流，并可在60V的工作电压下运行，适用于多种中等功率应用。
　　此外，2SK3687采用了先进的沟槽式（Trench）MOSFET技术，提供更高的单元密度和更低的开关损耗。其±20V的栅极-源极电压容限增强了在高噪声环境中工作的稳定性，减少了栅极击穿的风险。该器件还具备良好的热阻特性，使其在高负载条件下仍能保持较低的温升。
　　由于其采用SOP-8封装，体积小巧，便于在紧凑型PCB布局中使用，同时支持表面贴装工艺，提高生产效率和可靠性。整体而言，2SK3687是一款适用于高效能、高频率开关应用的高性能MOSFET。

应用

2SK3687主要应用于各种电源管理系统，包括DC-DC转换器、同步整流器、电池充电器和负载开关等。其低导通电阻和高频率特性使其成为高效能开关电源（SMPS）的理想选择。此外，该器件也常用于电机驱动、LED背光电源以及电信和工业设备中的功率控制电路。
　　在汽车电子系统中，2SK3687可用于车载电源管理模块和LED照明驱动器。其表面贴装封装也适用于自动化生产流程，适合大批量制造。在需要高可靠性和稳定性的场合，如通信设备和嵌入式系统中，2SK3687同样表现出色。