RF5602WL50PCK-410 时间：2025/8/15 18:02:45 阅读：6

RF5602WL50PCK-410是一款由Renesas（瑞萨电子）推出的射频（RF）功率晶体管，专为高功率射频放大器应用而设计。该器件采用先进的LDMOS（横向扩散金属氧化物半导体）技术制造，适用于工业、科学和医疗（ISM）频段，以及广播和通信设备中的射频功率放大器。RF5602WL50PCK-410封装在高性能的陶瓷封装中，具有良好的散热性能和机械稳定性，适用于高可靠性和高功率密度的系统设计。

参数

型号：RF5602WL50PCK-410
　　类型：射频功率晶体管
　　技术：LDMOS
　　频率范围：2.3 GHz - 2.7 GHz
　　工作电压：50V
　　输出功率：250W CW（连续波）
　　增益：20dB
　　效率：40% @ P3dB
　　输入回波损耗：18dB
　　工作温度范围：-65°C 至 +150°C
　　封装类型：陶瓷金属封装（PCK）

特性

RF5602WL50PCK-410射频功率晶体管具备多项优异的电气和物理特性，使其在高功率射频应用中表现出色。首先，其频率范围为2.3 GHz至2.7 GHz，适用于多种无线通信标准，如WiMAX、4G LTE、DVB-T等。LDMOS工艺赋予该器件高线性度、高增益和出色的热稳定性，能够在高功率水平下保持较低的失真。此外，该晶体管的输出功率可达250W CW，在50V电源电压下运行，具有较高的效率（40% @ P3dB），有助于减少系统功耗和散热需求。
　　该器件的增益为20dB，输入回波损耗达到18dB，确保了良好的信号匹配和低反射损耗，提升系统整体性能。其陶瓷金属封装（PCK）设计不仅提供了良好的散热能力，还增强了机械强度和环境适应性，适合在严苛环境中长期运行。RF5602WL50PCK-410支持-65°C至+150°C的宽工作温度范围，适用于各种极端工作条件。此外，该器件还具有良好的抗过载能力和稳定性，能够承受一定程度的失配和瞬态过载，提高系统可靠性。

应用

RF5602WL50PCK-410广泛应用于多个高功率射频系统领域，包括无线通信基站、广播发射机、工业加热设备、医疗射频设备以及雷达和测试仪器等。在通信基础设施中，该晶体管常用于4G LTE、WiMAX和DVB-T基站的高功率放大器模块，提供稳定可靠的射频输出。在广播领域，该器件可用于数字电视和广播发射系统，确保高效率和低失真的信号传输。此外，RF5602WL50PCK-410也适用于工业和医疗设备中的射频能量控制，如射频加热和等离子体处理设备。其高可靠性和优异的热性能使其成为高要求环境下的理想选择。