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IPB60R125C6ATMA1 发布时间 时间:2025/8/11 18:55:46 查看 阅读:28

IPB60R125C6ATMA1是一款由英飞凌(Infineon)生产的高性能功率MOSFET,属于CoolMOS?系列。该器件采用先进的超结(Super Junction)技术,提供了卓越的导通和开关性能,适用于高效率、高频率的功率转换应用。IPB60R125C6ATMA1具有600V的漏源击穿电压和125A的连续漏极电流能力,适用于工业电源、服务器电源、太阳能逆变器、电动车充电器以及高功率密度电源系统。

参数

类型:N沟道MOSFET
  漏源电压(VDS):600V
  连续漏极电流(ID)@25°C:125A
  导通电阻(RDS(on)):典型值为80mΩ
  栅极电荷(Qg):约145nC
  封装类型:TO-247
  工作温度范围:-55°C至150°C
  技术:CoolMOS(超结MOSFET)

特性

IPB60R125C6ATMA1具备多项卓越特性,使其在高功率应用中表现出色。首先,其采用的CoolMOS技术显著降低了导通损耗和开关损耗,提高了整体系统效率。其次,该MOSFET具有极低的RDS(on)值,有助于减少功率损耗并提高热性能,从而允许更小的散热器设计。此外,其高电流能力和600V的耐压能力使其适用于多种高功率应用场景。IPB60R125C6ATMA1的封装形式为TO-247,具备良好的散热性能和机械稳定性,适合工业级应用环境。该器件还具备较高的短路耐受能力,提升了系统在异常工况下的可靠性。此外,其低栅极电荷(Qg)特性有助于提高开关速度,减少高频应用中的能量损耗。总体而言,IPB60R125C6ATMA1是一款适用于高性能功率转换器的高效、可靠、紧凑型功率MOSFET。
  在可靠性方面,该器件符合RoHS标准,具备良好的抗静电能力和过温保护性能。其广泛的工作温度范围也使其适用于各种恶劣环境条件下的应用。

应用

IPB60R125C6ATMA1广泛应用于需要高效能功率转换的设备中。典型应用包括工业电源、UPS不间断电源、服务器电源、光伏逆变器、电动车车载充电器、DC-DC转换器、PFC(功率因数校正)电路以及高功率密度开关电源系统。此外,它也可用于电动工具、工业自动化设备和高效率照明系统。由于其高耐压和低导通电阻的特性,IPB60R125C6ATMA1特别适合用于需要高频开关和高效率设计的电源系统,能够有效降低系统的整体能耗和发热情况,提高设备的运行稳定性。

替代型号

IPB60R099C6ATMA1, IPW60R125CFD7, IPP60R125C6SJXKSA1

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IPB60R125C6ATMA1参数

  • 现有数量1,000现货
  • 价格1 : ¥50.72000剪切带(CT)1,000 : ¥26.81550卷带(TR)
  • 系列CoolMOS? C6
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态不适用于新设计
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)600 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)30A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)125 毫欧 @ 14.5A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)3.5V @ 960μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)96 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)2127 pF @ 100 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)219W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装PG-TO263-3
  • 封装/外壳TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB