SKKD15/10 时间：2025/8/23 8:29:35 阅读：4

SKKD15/10是一款由STMicroelectronics（意法半导体）生产的双路N沟道增强型功率MOSFET器件，广泛应用于需要高效能功率管理的电子设备中。该器件采用了先进的沟槽式技术，具有低导通电阻、高开关速度和优异的热性能，适用于DC-DC转换器、电源管理和负载开关等多种应用场景。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏极电流（ID）：15A
　　漏极-源极击穿电压（VDS）：100V
　　栅极-源极电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：最大值50mΩ（典型值可能更低）
　　功耗（PD）：60W
　　工作温度范围：-55°C至175°C

特性

SKKD15/10具有多项显著的技术特性。首先，其低导通电阻（RDS(on)）能够有效降低功率损耗，提高整体系统效率。其次，该器件采用了先进的沟槽式制造工艺，使得MOSFET在高频率开关应用中表现优异，从而减少了外部元件的使用数量并提高了系统的紧凑性。
　　此外，SKKD15/10具备良好的热稳定性，能够在高功率工作条件下保持稳定性能。其散热设计优化，结合高功耗能力（60W），确保了在高温环境下依然可以长时间可靠运行。
　　该器件还支持宽范围的栅极电压操作（±20V），增加了设计灵活性。同时，它具有快速的开关速度，有助于减少开关损耗，并在高频率工作环境下提供更好的性能。此外，由于其双路MOSFET设计，可以在需要并联工作的应用中简化电路设计并提高整体系统的可靠性。

应用

SKKD15/10因其优异的性能和可靠性，被广泛应用于多个领域。其中包括高性能DC-DC转换器、电源管理系统、工业自动化设备、电动工具、电池管理系统（BMS）以及汽车电子系统等。此外，该器件也适用于电机控制、负载开关和电源逆变器等应用场景。
　　在汽车电子领域，SKKD15/10常用于车载充电系统、启停系统和车载逆变器等设备中，其高耐压能力和低导通损耗能够有效提升系统的能效和稳定性。在工业应用中，该器件可用于高效率的开关电源（SMPS）设计，为工业设备提供可靠的功率管理解决方案。
　　由于其优异的热性能和高可靠性，SKKD15/10也适合在高温环境下运行，例如工业炉控制器、高功率LED照明系统以及嵌入式电源模块等。