工作频率范围：824 MHz 至 915 MHz
　　输出功率：典型值 31 dBm（在 19.2V 电源下）
　　增益：典型值 34 dB
　　电源电压：12V 至 20V
　　电流消耗：典型值 650 mA（在 19.2V 下）
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　封装类型：16 引脚 TQFN
　　阻抗匹配：50Ω 输入 / 输出
　　封装尺寸：3 mm x 3 mm

RF5423TR13 具备多项优异的电气和物理特性，使其在无线通信应用中表现出色。
　　首先，该功率放大器的工作频率范围覆盖 824 MHz 至 915 MHz，适用于多种蜂窝通信标准，如 GSM850 和 GSM900 频段。这种宽频带性能使得该器件能够在多个地理区域和网络环境中灵活部署。
　　其次，RF5423TR13 提供高达 31 dBm 的输出功率，在 19.2V 电源电压下的典型电流消耗仅为 650 mA，展现出较高的功率效率（Power Added Efficiency, PAE），有助于延长移动设备的电池寿命并降低系统功耗。同时，该器件具有 34 dB 的典型增益，能够有效放大低电平射频信号以满足发射需求。
　　RF5423TR13 采用先进的 GaAs 技术制造，具备良好的线性度和稳定性，可支持 EDGE、WCDMA 等对信号质量要求较高的调制格式。其内置的偏置电路和温度补偿功能确保在不同工作条件下保持稳定的性能，增强了系统的可靠性。
　　此外，该器件采用 3 mm x 3 mm 的 16 引脚 TQFN 封装，体积小巧，适合高密度 PCB 设计，并支持表面贴装工艺，提高了制造效率和成品率。其工作温度范围为 -40°C 至 +85°C，适用于工业级环境下的长期运行。
　　总体而言，RF5423TR13 凭借其高性能、高集成度和紧凑设计，成为多种无线通信系统中理想的射频功率放大解决方案。

RF5423TR13 主要用于各种蜂窝通信设备，包括但不限于基站收发信机（BTS）、无线中继器、远端射频单元（RRU）、微微基站（Pico Base Station）、家庭基站（Femtocell）以及工业级无线通信模块等。
　　该器件特别适用于 GSM850/GSM900 频段的发射链路设计，可作为主功率放大器用于增强射频信号的发射强度。在多频段或多模式系统中，RF5423TR13 可与其他射频器件配合使用，实现灵活的频段切换和系统优化。
　　此外，由于其高线性度和良好的温度稳定性，RF5423TR13 也可用于 EDGE、WCDMA 和 LTE 等数字蜂窝通信协议的前端发射模块中，确保高质量的信号传输和较低的误码率。其紧凑的封装设计也使其适用于空间受限的嵌入式设备，如便携式通信终端、车载通信系统和物联网（IoT）设备。

RF5421TR13, RF5425TR13, SKY65904-11, QPA2310