时间：2025/6/12 19:08:47
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SUD25N04-25-T4-E3 是一款 N 沟道功率 MOSFET，采用 TO-220 封装。该器件主要适用于高效率开关电源、DC-DC 转换器以及电机驱动等应用领域。由于其低导通电阻和快速开关性能，能够有效降低功率损耗并提升系统效率。
这款 MOSFET 的设计优化了热性能和电气特性，使其在高温环境下仍能保持稳定的运行状态。同时，它具备出色的耐用性和可靠性，可满足工业级和消费级电子设备的严格要求。
最大漏源电压：40V
持续漏极电流：25A
导通电阻：15mΩ（典型值，Vgs=10V）
栅极电荷：45nC（典型值）
开关时间：ton=25ns，toff=45ns（典型值）
工作结温范围：-55℃ 至 +150℃
封装形式：TO-220
1. 极低的导通电阻，有助于减少导通损耗并提高整体效率。
2. 快速的开关速度，支持高频操作，适合开关电源和 DC-DC 转换器应用。
3. 高雪崩能量能力，增强了器件在异常情况下的耐用性。
4. 热稳定性良好，能够在极端温度条件下可靠运行。
5. 符合 RoHS 标准，环保且适合全球市场的准入要求。
6. 内置反向二极管，简化电路设计并提供额外保护功能。
1. 开关电源（SMPS）中的主开关或同步整流元件。
2. DC-DC 转换器中的功率开关。
3. 电机驱动控制，例如无刷直流电机（BLDC）驱动电路。
4. 负载开关和电池保护电路。
5. 工业自动化设备中的功率管理模块。
6. 消费类电子产品中的电源适配器和充电器设计。
SUD25N04L-25-T4-E3, IRFZ44N, FDP55N06L
