类型：LDMOS 射频功率晶体管
　　频率范围：2.3 GHz - 2.7 GHz
　　输出功率：500 W（典型值）
　　漏极电压：65 V
　　工作电流：1.5 A（典型值）
　　增益：25 dB（典型值）
　　效率：40%（典型值）
　　封装类型：陶瓷封装
　　热阻：0.35°C/W
　　工作温度范围：-65°C 至 +150°C

RF5375PCK-410 拥有出色的射频性能和可靠性，适用于多种高要求的射频功率放大场景。
　　首先，该器件采用了先进的 LDMOS 技术，能够在高频率范围内提供稳定的输出功率和高效的能量转换。其工作频率范围为 2.3 GHz 到 2.7 GHz，适用于现代无线通信系统中的主要频段，例如 LTE、5G 和其他宽带通信标准。
　　其次，RF5375PCK-410 提供了高达 500 W 的输出功率，非常适合需要高功率放大的应用，例如基站功率放大器。其漏极电压为 65 V，能够在较高的电压条件下稳定工作，同时保持较低的电流消耗（典型工作电流为 1.5 A），这有助于提高系统的整体效率。
　　此外，该器件具有 25 dB 的典型增益值和 40% 的效率，使其在高功率输出的同时保持较低的功耗和热量产生。其封装采用高热导率的陶瓷材料，热阻为 0.35°C/W，能够有效散热，确保设备在高功率运行时的稳定性和可靠性。
　　最后，RF5375PCK-410 的工作温度范围为 -65°C 至 +150°C，适应了极端环境条件下的应用需求，确保设备在各种气候条件下都能正常运行。

RF5375PCK-410 主要用于无线通信基础设施中的射频功率放大器设计，例如 4G/5G 基站、广播发射机和工业射频加热系统。
　　在无线通信领域，该器件广泛应用于基站功率放大器中，用于增强信号传输的覆盖范围和稳定性。由于其工作频率范围覆盖了现代无线通信的主要频段（2.3 GHz - 2.7 GHz），RF5375PCK-410 能够支持 LTE、5G 和其他宽带通信标准，为高数据速率传输提供可靠的功率放大解决方案。
　　在广播和通信发射系统中，该晶体管可作为高功率射频放大器的核心组件，用于增强广播信号的传输距离和覆盖范围。此外，它还适用于射频测试设备和工业射频加热系统，如射频能量传输和等离子体生成设备。
　　RF5375PCK-410 的高性能和高可靠性使其成为各种高功率射频应用的理想选择，特别是在需要稳定输出功率和高效能转换的系统中。

NXP MRFE6VP61K25H, Cree CGH40050F